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邻近效应校正功能和参数确定

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一、邻近效应校正函数及参数确定(论文文献综述)

宋波[1](2021)在《海洋目标高分辨率遥感成像仿真方法研究》文中进行了进一步梳理随着国家综合实力的进步及航天科技的发展,在遥感探测领域,我国已全面进入了“高分时代”。高分辨率遥感成像仿真技术在光电装备研发、图像质量评估、侦察效果评估、战场环境态势推演、制导能力预测评估、目标检测和识别方法验证等领域具有并正发挥着重要应用价值。在我国走向深海的战略方向指引下,海洋目标高空间分辨率遥感成像仿真技术在海面目标探测识别等方面有着广泛应用前景。舰船与海水流体交互作用在高分辨率卫星观测下得以显现,对其产生的复杂流场辐射模拟是成像仿真的主要难点。本文结合光学遥感成像过程中的辐射传输机理及计算机技术在图像仿真方面的应用,针对海面目标高分辨率遥感成像仿真过程中,包括高精度的海面三维辐射模型的构建、针对海面目标航行导致的水面流场变化和辐射扰动的定量表征、紧耦合辐射传输计算等关键技术展开研究,具体工作体现在:研究了海面三维形态、多组分分布与海水方向反射特性的耦合作用和辐射模型,通过频谱分析的方法构建了海面三维模型;对水面反射率的各组成成分进行了影响性分析;根据海面组分分布的区别及不同位置海面法向的不同,修正了低分辨率下的海洋BRDF模型,使其满足高分辨率卫星图像的仿真应用;计算出不同组分的海面的方向反射数据,并将其与海面三维模型关联,构建了亚米级海面三维辐射模型,为后续辐射传输计算提供基础。利用多角度光学图像进行了舰船目标的三维重构;结合流体力学、粒子系统,研究了舰船航行过程中与海水交互产生的流场几何形态和物性变化,及其与海面方向辐射特性的耦合作用模型;与光学辐射传输机理结合,定量表征了海洋目标航行时与海水交互所产生的动态扰动引起的辐射特性变化,构建了亚米级的舰船目标与海水三维耦合辐射模型,并以此为基础提出了海面目标高分辨率卫星成像仿真方法;使用蒙特卡洛方法和逆向光线追踪技术来模拟辐射能量在大气内的散射、衰减,在海洋场景内部的多次反射等辐射传输过程;将海-气之间的辐射传递作为一个连续过程进行计算,模拟了邻近效应和混合像元之间的相互耦合作用,得到传感器入瞳处的辐亮度图;根据拟仿真的目标进行传感器效应模拟,得到目标卫星观测的仿真结果。基于上述研究结果,编制了海洋目标遥感成像仿真系统,将仿真的结果与卫星实测结果进行对比验证。结果显示,将GF-6卫星全色波段实测图像与相同成像条件下的仿真图像对比,图像均值的误差为9.17%,标准差误差为9.21%,仿真的结果图像与实拍的卫星图像之间在目标船体、海面背景、船体与海面耦合形成的航行流场的辐射值及平均灰度值、灰度分布、纹理细节等方面,都具有较高的一致性,可以较真实地重现海面目标在航行时的卫星成像结果。本文对海洋目标在高空间分辨率光学遥感卫星拍摄成像过程中的几个重点影响因素做了较为深入的研究,结合海洋目标场景的辐射及几何特性,提出了针对海洋目标的高分辨率遥感成像仿真方法,在针对海洋目标的目标检测和识别方法验证领域具有重要的应用价值。

李玲玲[2](2021)在《基于水色分类的城市河流黑臭遥感分级方法研究》文中研究说明城市水环境是城市生态环境的重要组成部分。然而,城市河流污染问题日趋严重,许多城市河流出现了常年性或季节性的黑臭现象[1]。水体黑臭程度遥感监测是了解城市水质现状和综合评价城市水环境治理效果的重要手段。本研究以南京、常州、无锡、扬州建成区为研究区,通过实地原位实验和室内水质参数分析,结合水色分类,厘清了不同水色类别所对应的黑臭水体的光学特征,根据遥感反射率的差异,构建了基于决策树的黑臭水体遥感分级模型,并将其应用于高空间分辨率影像上,同时,为了降低城市河道周边环境对遥感监测结果的影响,建立了基于点扩散函数模型背景反射率估算的邻近效应校正方法,提高从遥感影像中提取水体遥感反射率的准确度。将构建的模型应用到扬州市高分影像上,揭示了不同黑臭程度水体的时空分布变化,为城市黑臭水体的监测、治理和评估提供了科学依据和技术支持。论文主要得出以下结论:(1)城市河流高分影像的邻近效应校正方法通过对已有方法的改进,建立了一种基于点扩散函数估算高分影像背景像元反射率的邻近效应校正方法。邻近效应校正后,水体像元在近红外波段的“飞高”现象得以改善,四个波段的校正值与实测值接近1:1线,并且近红外波段校正效果最好。(2)结合水体颜色与黑臭程度的关系建立了水色分类规则对所有样点数据的水色进行分析,并参照国际标准劳拉比色卡,建立了水体色度分级表。将水体按色度一共分为六类:类型1水体(灰黑色)、类型2水体(深灰色)、类型3水体(灰色)、类型4水体(浅灰色)、类型5水体(绿色系)和类型6水体(黄色系)。其中,1-4类为灰色系水体,都是黑臭水体。1类是重度黑臭水体,2-4类是轻度黑臭水体,5-6类是一般水体。(3)基于决策树的城市黑臭水体分级模型结合水色分类与黑臭程度的关系,对重度、轻度黑臭水体和一般水体的水质参数和水体组分贡献率进行分析。经过水体色度分级表分类之后,不同水色水体的参数差异明显。依据六类水体的光谱差异构建决策树模型:1)利用黑臭水体差值指数DBWI(Difference Back and odorous Water Index),即蓝绿波段反射率的差值,区分类型1水体和其他类型水体;2)利用不同类型水体的反射率光谱曲线三波段面积水体指数G-R-NIR AWI(Green-Red-Near infrared Area Water Index),即反射率光谱曲线在542、631和813 nm处围成的三角形面积大小区分2-6类型水体,以色素颗粒物主导的水体类型(类型2和5水体)G-R-NIR AWI大于0 nm·sr-1,而以非色素颗粒物主导的水体类型(类型3、4和6水体)G-R-NIR AWI小于0 nm·sr-1;3)采用绿光波段的反射率(Rrs Green)来区分类型2和5水体;4)利用归一化黑臭水体指数NDBWI,即在绿光波段和红光波段的反射率差、和的比值,区分类型6水体与类型3、4水体。影像邻近效应校正后,对各指数的阈值进行重新率定:DBWI的阈值为0.00088 sr-1,G-R-NIR AWI的阈值为1.92 nm·sr-1,Green的阈值为0.033 sr-1,NDBWI的阈值为0.032。使用57个独立实测点来评价决策树模型的精度,结果表明,整体识别精度达75.40%,K值达0.63,说明数据具有较高的一致性且模型识别精度较高。(4)扬州市黑臭水体空间分布及典型河段治理效果评价将模型应用于扬州市2019年4月17日的Planet Scope影像上,对建成区河流进行黑臭水体分级。共识别出黑臭河段12条,河段总长度47.03 km,黑臭水体主要分布在河宽较窄的河段及流经工厂或居民区的河段。利用2017-2019年卫星遥感数据,对扬州三个河段(两个经人为治理的城市河段,即安墩河和古运河;以及一个经轻微治理的郊区河段,即黄泥沟)的黑臭程度月际变化情况进行监测,评价其治理效果。结果表明,城区河段安墩河和古运河,经过长期疏浚和重建水闸等治理措施,水质得到了很好的改善,并且短期内没有反弹现象,几乎从根本上治理了黑臭。而郊区河流黄泥沟的治理力度不够,仅仅是河道硬化、坡边整形,没有对底泥进行清淤,对黑臭现象改善的效果不明显。

陈腾飞[3](2019)在《LED芯片光学参数在线测试若干关键问题研究》文中研究说明LED光源具有节能、环保、寿命长等显着优点,其作为一种新型光源广泛应用于多个行业。产线上LED芯片受限于生产工艺,其光电参数存在一定的离散性,这对下游制程的良率带来不利影响。因此LED芯片光电参数的快速在线检测成为LED产业链上必不可少的环节。在LED产业链上,更高的测试效率意味着更高的利润,但测试效率的提高往往伴随着更多的测试误差。研究在线测试误差产生机理,相应的提出校正方法,对于提高在线测试效率具有重要意义。本文将在线测试误差分为三类:极短时间测试带来的误差、测试系统非理想性带来的误差和测试过程误差,研究了测试系统的瞬态特性和积分球安装高度、偏心、光学介质、邻近芯片以及芯片温升、环境温度波动等因素对在线测试的影响机理,主要的研究内容和成果列写如下。提出了一种面向积分时间的光谱逐点校正方法。首先分析测试系统瞬态响应特性,确定积分时间是制约在线测试效率的瓶颈。随后基于光谱仪的工作原理和响应特性,采用标准芯片标定测试系统在不同积分时间时的响应特性,计算不同积分时间之间的光谱变换矩阵。基于变换矩阵,实现较短积分时间到理想积分时间的光谱转换。实验结果表明该方法在减少积分时间的同时保持较高的测试精度。提出了非标准测试系统主要测试误差的校正方法。针对不同测试误差分别进行研究。首先建立数学模型,研究积分球安装高度、偏心与进入积分球的光的关系,模型和实验结果的一致性良好。随后采用蒙特卡洛光线追迹和实验相结合的方法研究蓝膜和石英玻璃对倒装LED芯片光学参数在线测试的影响,定义了衰减因数表征蓝膜和石英玻璃对辐射通量的衰减作用,计算值和实验结果的一致性良好。最后采用蒙特卡洛光线追迹方法,研究倒装LED芯片光学参数在线测试中的邻近芯片效应,对现行在线测试方法进行了修正和讨论。提出了倒装LED芯片光学参数在线测试热致误差校正方法。首先建立在线测试热致误差模型,研究测试过程芯片的温升特性,模型和实验结果一致性良好。随后基于热致误差模型研究不同环境温度下芯片的温升曲线,结果表明芯片在不同环境温度下的温升曲线趋势基本一致。最后研究环境温度变化对芯片辐射通量的影响,采用线性模型对测量值进行校正。实验结果表明该方法可有效校正温度变化带来的误差。最后,基于上文对各个误差因素的研究分析进行不确定度评估,结果表明正装LED芯片光学参数在线测试的不确定度量级较小,各不确定度分量贡献的不确定度差异不大;倒装LED芯片光学参数在线测试主要不确定度来源是温度波动和芯片邻近效应,对这二者进行校正后,扩展相对不确定度由原本的2.62%减小为0.534%。

陈川[4](2018)在《高分辨率遥感成像仿真关键技术研究》文中提出随着越来越多的高分辨率卫星的陆续发射升空,对地遥感观测早已进入“高分时代”。使用计算机仿真技术模拟遥感器对地观测过程,可直观而准确地分析、评测成像过程中影响图像质量的内外因素和作用机制,为传感器设计、遥感数据处理、图像质量评价、目标特性研究等研究提供依据和指导,具有十分重要的应用价值。高分辨率遥感影像像元覆盖尺寸小,对地物的几何、辐射特性辨识度更高,相较于中低分辨率,高分辨率遥感成像仿真过程应考虑的因素更加复杂。因此,本文结合计算机仿真技术和遥感成像机理,针对高分辨率遥感成像仿真过程中涉及的若干关键技术展开了研究。具体研究工作体现在:高精细度数字场景的辐射特性模型研究。基于真实场景建立了高精细度的三维数字场景。提出一种BRDF模型特征参数反演方法,修正了大气散射对BRDF特征参数反演的影响,获取了地物本征的方向反射特性。提出一种材质纹理映射方法,将不同材质的本征方向反射特性与高精细度模型进行关联,从而建立了高精细度三维数字场景的辐射特性模型,为后续计算不同光照、大气和观测条件下的入瞳处辐射场提供基础。高分辨率遥感成像的入瞳处辐射亮度计算。提出一种基于神经网络的光辐射参数快速计算方法,以不同条件下MODTRAN计算的光辐射参数为样本,构建并训练了神经网络以快速计算大气下行辐射、透过率、程辐射、光学厚度等光辐射参数,为并行的辐射传输计算提供必要的输入参数。通过蒙特卡洛方法发射大量的光线并追踪光线与大气和三维场景的交互过程,模拟了地表辐射的多次反射作用,以及大气对地表辐射场的空间调制作用,并最终计算传感器入瞳处辐射亮度,得到理想传感器输出的高分辨率辐亮度图像。基于上述关键技术的研究结果,编制了高分辨率遥感成像仿真程序,将仿真结果与GF-2卫星获取的辐亮度图像进行了对比验证,结果显示仿真的入瞳处辐射亮度图像与实拍的卫星图像之间具有较高的辐射一致性和空间一致性。本文对高分辨率遥感成像仿真中的若干关键技术进行了系统性的研究。论文的研究成果对发展遥感成像仿真平台、促进仿真技术的工程化应用具有十分重要的意义。

陈浩琪[5](2018)在《二维材料磁性相关问题的第一性原理研究》文中研究指明自石墨烯成功制备以来,二维材料基于其独特的性质及优越的性能受到许多科学技术领域的广泛关注。对于二维材料中磁性的研究,包括磁性的产生、机制以及如何应用到自旋电子学器件中,是自旋电子学中的热门研究方向。二维材料根据组成成分,可以分为完全非金属材料,如graphene、phosphorene、h-BN、silicene等,以及金属与非金属复合材料,如过渡金属二硫化物(TMDs)、金属碳/氮化物(MXenes)、金属氧化物(MOX)、金属有机框架(MOFs)等。对于金属与非金属复合材料,不仅能够广泛的运用到光学、催化、传感、气体存储等领域,往往还具有奇异的磁性质,在自旋电子学中具有广阔的发展前景。而完全非金属材料如graphene等,大量的研究表明了其优异的物理化学性能可以应用到广泛的领域之中,但其本征的非磁性限制了在自旋电子学领域的应用。在本博士论文的工作中,我们通过基于密度泛函理论的计算模拟,研究了一些二维相关体系的自旋极化的电子态特征和磁学特性,并通过调控的方法对这些磁学特性进行操纵,使其具有应用于自旋电子学器件中的价值。本文的主要工作如下:1.研究了二维kagome晶格过渡金属酞菁(kag-TMPc)单层薄膜的电子结构和磁学性质。研究表明,2Dkag-MnPc薄膜的基态是铁磁性的半导体,居里转变温度为125K,与四方晶格的MnPc薄膜相当。2D kag-CrPc薄膜是S=2的kagome反铁磁性体系,是研究kagome反铁磁耦合体系自旋排布的优秀基材。基于XXZ海森堡模型,研究显示kag-CrPc薄膜基本上是各向同性的,△→1,与该模型下的理论研究相图相对照,可以推断kag-CrPc薄膜基态的自旋排布倾向于RT3态。光吸收谱的计算证明了组装成二维kagome晶格后,酞菁的光学性质得以保留并且光吸收能力获得一定程度的增强。2.研究了二维六角晶格ⅢA族及过渡金属亚酞菁(MsubPc)单层薄膜的电子结构和磁学性质。其中,BClsubPc薄膜是带隙可调的非磁性半导体,带隙为0.68eV。InsubPc和TlsubPc薄膜是零带隙的非磁性半导体,Dirac点位于费米面,考虑自旋轨道耦合(SOC)相互作用,Dirac点打开的能隙分别为0.27meV和0.50meV。引入3d、5d过渡金属原子配位后,获得的FesubPc薄膜是铁磁性的金属,居里转变温度为185K。而WsubPc和IrsubPc薄膜是铁磁性的半金属,前者的居里转变温度为310K,高于室温,后者的居里转变温度为110K。磁各向异性研究表明,IrsubPc薄膜的易磁化轴垂直于薄膜表面,磁各向异性能为31.98meV;WsubPc薄膜的易磁化轴在薄膜平面内,磁各向异性能为-21.39meV,在应变下显着增大。3.研究了二维平面四方晶格过渡金属四氮杂卟啉(TMPz)单层薄膜的电子结构和磁学性质。H2Pz薄膜是非磁性的窄带隙半导体,带隙仅为64meV,且应变下可调。3d TMPz薄膜中,FePz薄膜是铁磁性的金属,当应变大于4%时,会发生自旋交叉效应,从低自旋态转变为高自旋态。MnPz薄膜是反铁磁性的金属,施加应变可以将其转变为铁磁基态,拉伸3%时,铁磁耦合最强,居里温度为280K。在Pz薄膜的孔隙中掺杂同种金属时,MnPz薄膜和FePz薄膜可以得到稳定的长程铁磁序,居里温度分别为230K和930K。中心配位金属为5d过渡金属时,RePz薄膜在应变下可以转变为铁磁性的半金属,拉伸5%时居里温度约为140K,易磁化轴垂直于薄膜表面,磁各向异性能约为30meV。中心配位金属为5d过渡金属二聚体时,Ir2Pz薄膜是铁磁性的半金属,居里温度约为90K,易磁化轴垂直于薄膜表面,磁各向异性能为48.2meV。4.研究了二维kagome晶格过渡金属苯六硫醇(TM-BHT)单层薄膜的电子结构和磁学性质。Ni-BHT薄膜是铁磁性的金属,居里温度为350K,具有较高的导电性能。Mn-BHT、Fe-BHT和Co-BHT薄膜是具有双极性特征的反铁磁性半导体,适当的空穴掺杂下成为铁磁性的半金属,而在适当的电子掺杂下,Fe-BHT和Co-BHT薄膜转变为具有较高自旋极化率的铁磁性金属,居里温度均高于室温。通过施加应变,可以将Fe-BHT薄膜的基态从反铁磁性转变为铁磁性,居里温度最高可达740K,相应的自旋极化率为-67.7%。在薄膜中用N原子取代S原子时,Mn3C6S3N3薄膜的基态为铁磁性半金属,居里温度达到620K;Mn3C6N6薄膜也是铁磁性的半金属,当施加应变使体系压缩大于2%时,会发生自旋交叉效应,从高自旋态(HS)转变到低自旋态(LS),并伴随自旋极化方向的反转,使得自旋极化率从100%转变为-100%。5.研究了邻近效应引起的磷烯在EuO(111)衬底表面的磁化。研究显示,可以通过EuO衬底邻近效应对单层磷烯实现自旋注入也即磁化,磁化后费米面处的自旋极化强度约为~30%,磷烯的本征带隙移动到费米面以下,在费米面以下~leV处r点的导带底(CBM)发生交换劈裂的大小约为0.184eV,交换劈裂能量范围内只有单一自旋通道可以导通。通过施加应变,可以有效调控交换劈裂的能级大小和位置。被磁化的磷烯的CBM点不同方向电子的形变势也受到邻近效应的影响,使得磷烯本征各向异性的电子迁移率也同时具有自旋极化的特性,而且磷烯本身优良的电学输运特性并没有被这种吸附过程明显削弱。6.研究了邻近效应引起的硅烯和锗烯吸附在EuO(111)衬底表面的磁化。通过EuO衬底邻近效应实现的自旋注入使得单层硅烯和锗烯被被磁化,费米面处自旋极化强度分别为~10%和~40%。吸附后的硅烯与EuO衬底间的相互作用在Dirac点产生了较大的能隙,约为0.5eV,远高于硅烯通过SOC相互作用打开的能隙(0.05meV)以及吸附在硼氮表面打开的能隙(30meV),并且具有自旋极化的特性,在硅烯的CBM处自旋交换劈裂的大小约为O.1eV。通过施加应变,可以将硅烯Dirac点处打开的能隙调制到EuO衬底的带隙之间,而锗烯的极化强度得到略微增强。7.研究了 5d过渡金属原子及二聚体吸附在磷烯表面(TM/TM2@phosphorene)和单空位缺陷处(TM/TM2@SVP)的磁各向异性。证明了5 过渡金属原子能稳定的吸附在磷烯表面,不易发生扩散和团聚成簇,有利于实际应用。W@SVP体系的易磁化轴垂直于磷烯表面,磁各向异性能为25.30meV。过渡金属二聚体吸附时,H4构型具有较强的磁各向异性,Os2@phosphoreneH4和Ir2@phosphoreneH4体系的易磁化轴垂直于磷烯表面,磁各向异性能分别为85.55meV和112.96meV。当在垂直于磷烯表面方向施加电场时,随着电场强度的增强,Os2@phosphoreneH4体系的磁各向异性能先增加,然后迅速减小,与刚带模型模拟的结果相符合,可应用于实现数据的写入操作。混合金属二聚体Ru-Os和Co-Ir吸附在磷烯H4位点,体系的易磁化轴垂直于磷烯表面,磁各向异性能分别为63.61meV和78.59meV。研究证明了5d过渡金属吸附的磷烯体系,可以获得100meV量级的垂直磁各向异性,在原子量级的高密度磁存储器件具有光明的应用前景。

于明岩[6](2015)在《微纳系统电子束光刻关键技术及相关机理研究》文中研究表明电子束光刻技术在微纳系统的集成电路光掩模制造领域具有不可替代的作用,是推动微纳系统特征尺寸不断降低的关键技术,同时也是纳米电子学、纳米光学以及半导体量子结构制作等科学研究领域中不可或缺的加工手段。电子束光刻技术的性能不仅依赖于电子光学系统的状态、环境温度、空间磁场等外部条件,而且当工艺节点深入到百纳米级及以下时,工艺条件的控制也变得至关重要。例如绝缘衬底电荷积累问题的影响加剧了电子束直写图形扫描场拼接的误差;高高宽比纳米结构的粘连和坍塌现象制约了后续的刻蚀工艺;由于电子散射产生的电子束曝光邻近效应限制了电子束直写的有效图形分辨率、图形结构质量大幅度下降。为了有效地提高电子束光刻的加工精度和图形生成质量,本文对电子束光刻中的关键工艺技术及其相关机理进行了系统地研究。本论文从电子束光刻中的三个关键技术问题,即绝缘衬底的电荷积累、高高宽比抗蚀剂图形的坍塌及粘连、邻近效应影响图形分辨率,进行了详细论述,以PMMA,HSQ,SX AR-P 6200抗蚀剂为实验材料,研究了电子束光刻技术中影响抗蚀剂图形质量的因素,并探讨了问题产生机理及解决方法,通过理化分析手段对其进行了表征;开展了实验方法及工艺流程的设计,解决了关键工艺技术问题;通过建立电荷积累、高高宽比抗蚀剂图形坍塌及粘连、衬底中电子散射三种模型,以旋涂导电胶、电磁波加热及工艺优化与软件仿真相结合的方法解决相应问题。分别以三种抗蚀剂的纳米结构为检测对象,进行了性能测试分析,同时对其曝光机理进行了探讨。主要的工作内容如下:1.系统地总结了纳米电子束光刻中存在的各种关键工艺技术难点,并根据大量工艺实验结果分析了各工艺技术问题产生的原因,提出了相应的解决思路。2.针对电子束在绝缘衬底上所产生的电荷积累,以及在绝缘体衬底上孤立金属膜图形仍然无法疏导周边绝缘体表面电荷积累影响的问题,通过仿真分析其产生机理,建立物理模型,并提出一种在电子抗蚀剂表面旋涂一层富含导电微粒的水溶性导电胶疏散电子束直写所产生的积累电荷的方法。通过实验验证,该方法可以有效地抑制了直接在绝缘体衬底上或者非导电介质膜上进行电子束曝光时积累电荷排斥电子束的现象,取得理想的效果。3.深入地探讨了高高宽比抗蚀剂图形由于水的表面张力所导致的粘连及坍塌机理,提出了电子束曝光显影后直接通过电磁波加热去离子水进行干燥的方法。该方法是利用水分子在电磁波交变电场的作用下不断加速产生剧烈运动的机理,使去离子水在交变的电磁场环境下升温,分子间的氢键断裂,促使水分子团簇减小,降低水的表面张力。从实验结果可以看出,这一方法干燥显影后的高高宽比抗蚀剂图形取得良好效果。4.通过Monte Carlo模拟和曝光实验,从工艺条件、电子光学系统等方面分析了电子束曝光邻近效应产生的机制及主要影响电子束邻近效应校正前散射和背散射的因素。结合典型版图的制作,探讨了采用计算机软件模拟与曝光实验相结合进行邻近效应剂量调制校正的方法及过程,并对实验与模拟结果在校正前后的图形质量进行了分析和对比,确定了最优工艺流程。研究结果表明:在电子抗蚀剂表面旋涂导电胶,可以有效缓解电荷积累产生的场拼接误差并保证套刻精度;电磁波加热干燥显影后的高高宽比抗蚀剂结构图形,可以成功获取高260nm、宽16nm的光刻胶线条组和直径为20nm的光刻胶柱形阵列;通过预先优化工艺条件并结合软件校正的方法,抗蚀剂图形结构质量得到明显改善。

谢春蕾[7](2014)在《应用于深亚波长光刻的光学邻近校正技术研究》文中进行了进一步梳理在摩尔定律的驱动下,集成电路的晶体管密度每两年翻一倍,在保持生产成本不变的前提下,提高电路的性能,降低功耗。在过去的五十多年里,作为集成电路生产中的关键技术,光刻技术的发展成功将晶体管的尺寸从毫米级缩小到了纳米级。光刻光源波长的缩小一直是光刻技术发展的主要手段,然而,其缩小速度远小于集成电路特征尺寸的缩小速度。自从250nm工艺节点开始,光刻技术进入了亚波长光刻阶段——光刻光源的波长大于所要生产的图形的最小尺寸。分辨率增强技术也由此应用而生,以解决光刻过程中发生的图形畸变问题。光学邻近校正技术作为应用最为广泛,最为有效的分辨率增强技术之一,通过对光刻掩模板上图形的修改达到提高光刻保真度的目的。发展到目前,最先进的光刻技术在使用193nm波长的光源生产特征尺寸为22nm/17nm的芯片。生产图形的尺寸只有光源波长的十分之一左右,光刻技术发展进入了一个新的阶段——深亚波长光刻阶段。相应的,深亚波长光刻技术对光学邻近校正也提出了新的挑战和要求——新的设计类型和更高的图形密度,更高的校正效率和校正精度。本文分别针对光学邻近校正中光刻仿真、图形切割和层次结构处理三个步骤提出了新的解决方法,以满足深亚波长光刻的需要。这些新方法被应用于自有的光学邻近校正软件ZOPC中,并成功处理了多个工业界产品。本文的主要内容和创新点概括如下:针对一维版图的快速光刻仿真。在现代集成电路生产过程中,快速平面光刻仿真对集成电路版图优化和光刻系统优化都具有至关重要的意义。随着集成电路生产工艺进入“深亚波长光刻”阶段,一维版图设计规则被广泛研究和采用。本文充分利用光刻系统中光源的部分相干特性和一维图形的特性,提出了针对一维版图的快速平面光刻仿真算法。该方法由一维基元图形查表法、最小查找表及其边缘延伸和无切割的大面积版图仿真组成。仿真结果表明,在保证极高准确性的基础上,相比于传统的快速仿真方法,该方法将查找表的建立时间缩短了95%以上、基本图形的仿真速度提高了48%左右、大面积版图的仿真速度提高了70%以上。面向集成电路功能性和成品率的图形切割方法。随着集成电路特征尺寸的不断缩小,集成电路生产过程中掩模数据量的不断增长,极大的增加了生产成本。应用于掩模版图的光学邻近校正增加了版图的复杂度,是成本增长的原因之一。本文提出了一种全新的切分方式,基于对版图中影响成品率的图形的识别,该切分方法可以在保证关键部位的校正质量的同时,简化校正后版图的复杂度,减少最终掩模版图的数据量。实验结果显示使用该切分方法得到的掩模版图数据量大小只有通过传统方法得到的一半左右,校正时间也减少到了传统方式的四分之一左右。针对阵列式版图和随机逻辑电路版图采用不同策略的混合式层次结构处理方法。随着集成电路技术的不断发展,一套集成电路版图中所含有的图形数量在急速增加,数据量也相应的飞速增长。传统的集成电路设计工具往往将设计版图按照一定的层次结构来储存,通过数据的重用来提高存取速度和处理效率。本文提出了针对阵列式版图和随机逻辑电路中不同的版图特点,采用不同策略的混合式层次结构处理方法。该方法在保证校正精度的前提下,最大限度的减少校正过程中的冗余运算,提高校正效率,降低校正时间,并有效减少了校正后版图的数据量。实验结果显示,与传统的扁平式校正方法相比,混合式层次处理方法可以将校正时间和校正后版图数据量分别减少80%和90%以上。实验和流片结果则双双验证了该方法的准确性。

段辉高[8](2010)在《10纳米以下图形电子束曝光的研究》文中提出电子束曝光是目前分辨率最高、使用最灵活的纳米加工技术,在纳米电子学、纳米光学、纳机械系统等领域具有广泛的应用。同时,随着集成电路的关键尺寸进入到22 nm节点,电子束曝光技术在整个半导体制造领域扮演着越来越重要的角色。追求更高的分辨率是电子束曝光研究的核心内容。本论文从电子束曝光的基本原理出发测量了不同电压的点扩散函数并进行了蒙特卡洛模拟研究,为研究电子束曝光的分辨率极限与邻近效应校正提供了基础。进而分析了电子束曝光的分辨率、效率、结构均匀度之间的关系以及它在大规模应用中所面临的困难,提出了解决困难的可行办法。本论文对高分辨电子束曝光的工艺和分辨极限开展了研究,得到了9 nm周期宽度的纳米结构。进一步利用透射电子显微镜和原子力显微镜对电子束曝光制作的纳米结构进行了精确测量,发现曝光的分辨率极限对稀疏的结构可以达到4nm的特征尺寸,而对于密集型结构,16 nm周期宽度的结构无法完全分辨。通过对电子束扩散函数与显影对比度的分析,本文认为电子束曝光的分辨极限与显影液在纳米尺度下的扩散限制有关。电子束曝光虽然具有极高的分辨率,但它面临在纳米尺度下图形转移的困难。本文为此提出了利用电子束曝光和辐照直接制作功能纳米结构。以超细PMMA纳米纤维作为前驱物,在高分辨透射电子显微镜下原位地研究了聚合物在电子束辐照下分解、碳化和石墨化的过程,分别制作出石墨烯纳米带、类富勒烯以及石墨尖等纳米结构。利用电子束过量曝光PMMA结合退火过程得到了图形化的石墨纳米结构。高分辨电子束曝光同时面临效率低、邻近效应、辐照损伤的困难。为了克服这些困难,本文发展了一种毛细力自组装方法,可控地将电子束曝光定义的高深宽比纳米结构组装成复杂的平面结构或者三维结构从而提高电子束曝光的效率、减少邻近效应和消除辐照损伤。本论文通过对10 nm以下电子束曝光的基础研究,不仅解决了高分辨电子束曝光中的几个关键问题,而且推动了国内外电子束曝光的发展,并对高分辨电子束曝光的应用具有极大的指导意义。

焦海斌[9](2009)在《遥感图像辐射校正及邻近效应去除的研究》文中认为遥感成像过程中传感器接收到的地物信息由于其在传输过程中和大气的相互作用尤其是邻近效应的影响导致其辐照度和光谱分布都要发生变化,使得传感器不能真实记录地物目标信息,从而影响对获得的遥感数据进行定量分析、特征提取、光谱重建等定量遥感研究过程,所以遥感图像的辐射校正问题是一个亟待解决的重要问题,大气辐射校正环节因此成为遥感定量分析的关键。本文在大气辐射传输理论的基础上利用基于辐射传输模型的方法进行大气辐射校正:在利用基于辐射传输模型解决大气辐射校正问题时,对地表特性的准确分析和界定是求解大气和地表这一耦合系统中辐射传输的关键,本文针对目标地物的性质和实际应用情况,分五种地表条件进行了分析和讨论,建立了不同地表条件下的大气辐射传输方程。针对地表非均一特性和大气散射导致遥感成像中的邻近效应问题,本文提出通过求解大气点扩散函数来定量分析和去除邻近效应。利用蒙特卡罗方法得到的大气点扩散函数,不仅能比较准确地求解大气辐射传输方程,而且也解决了传统求解辐射传输方程的方法中计算量大,求解复杂的问题。大气参数的准确获取是影响利用大气辐射传输模型校正方法求解辐射传输方程精度的另一个关键因素,大气参数的随机性和非均匀分布增大了对大气参数的精确同步实时测定的难度,尤其是气溶胶含量的反演,本文利用黑暗像元法,通过图像自身信息并利用大气辐射传输6S模型反演成像时气溶胶光学厚度,提高了利用辐射传输模型进行反演和校正的精确度。在上述研究的基础上,本文提出了一种易于工程实现的模块化大气辐射校正方案。该方案利用大气辐射传输模型MODTRAN生成查找表,选取大气参数的确定、气溶胶光学厚度的反演与邻近效应的去除作为影响遥感成像的关键因素进行了研究与分析,分别给出了计算方法并进行了实现,对校正后的图像,通过分析具体典型地物光谱特征验证了校正方案的有效性。

陈晔[10](2008)在《适用于超深亚微米集成电路制造与验证流程的光学邻近修正方法研究》文中研究表明过去几十年来,微电子技术的高速发展以及各类应用对电路性能需求的日益增长使得现代集成电路系统的规模和复杂程度日趋提高,这必将对集成电路制造技术提出更高的要求。就当今主流的集成电路制造技术而言,光刻分辨率增强技术(ResolutionEnhancement Techniques,RETs)使得制造比光刻所用光源波长小两到三倍的特征尺寸成为可能,现在193nm波长的光源被用来生产65nm工艺的集成电路。光刻技术的极限已经远远超出了人们的想像。在所有的光刻分辨率增强技术中,光学邻近修正(OpticalProximity Correction,OPC)是最为成熟以及应用最为广泛的一种。它通过修改掩模图形的形状来达到补偿失真的目的。快速而高精度的修正算法、良好的版图设计风格以及精确的光刻模型是成功实施光学邻近修正的关键。本文将会介绍在这三个方面所做的工作。基于模型的光学邻近修正算法(Model-based OPC,MBOPC)是一个迭代过程。迭代的收敛性同时取决于迭代的初值以及迭代方向的选择。为了提高算法的收敛速度以及收敛范围,本文提出了一种新的矩阵式光学邻近修正算法。新算法通过考虑边之间的互相影响使得所选择的迭代方向更为有效。本文也介绍了一些加快Jacobian矩阵计算以及线性方程组求解的方法,以进一步提高新算法的计算速度。本文提出了一种有较快的修正速度且有相对精确的修正精度的边偏移建模方法。使用此方法可以为传统的光学邻近修正算法提供较为精确的迭代初值。虽然新加入的初值计算步骤需要一定的运算时间,但是精确的迭代初值减少了收敛所需的迭代次数,从而可以有效地减少总的运行时间。成功的光学邻近修正也依赖于版图设计风格。一些图形组合难以通过修正而得到足够的制造裕量,这些图形通常被称为OPC不友好的(OPC Unfriendly)。为了减少设计的回转时间,设计者必须在将版图送至代工厂之前尽可能多地找到OPC不友好的区域并加以修正。这一流程通常被称之为光刻友好的版图设计(Litho-friendlyDesign,LfD)。本文介绍了两种基于边偏移建模方法构建的OPC算法。修正速度快且易于使用的特点使得这两种算法适于在光刻友好的版图设计流程中使用。基于部分相干理论的光刻成像系统建模方法早在几十年前就被提出,并且在工业界得到了广泛的使用。然而当所制造的特征尺寸越来越小,光刻系统使用了更为高级的配置。这使得我们必须考虑更多的物理效应来保持模型的精度,比如必须使用矢量成像模型来描述有高数值孔径投射透镜的系统。制造工程师必须通过修改模型的结果来建立新的模型,这通常是困难而且是耗时的。本文介绍了一种新的光刻建模环境。除了实现了传统的建模流程之外,新工具还提供一组易于定制以及扩展的模块。使用这些模块,用户可以通过编写简明的Tcl脚本来实现的新的光刻模型。这能够大幅提高建模的效率。

二、邻近效应校正函数及参数确定(论文开题报告)

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

三、邻近效应校正函数及参数确定(论文提纲范文)

(1)海洋目标高分辨率遥感成像仿真方法研究(论文提纲范文)

摘要
ABSTRACT
第一章 绪论
    1.1. 研究背景及意义
    1.2 国内外研究现状
        1.2.1. 高分辨率遥感卫星发展现状
        1.2.2. 遥感成像仿真技术研究现状
        1.2.3. 海洋场景仿真研究现状
        1.2.4. 舰船航行流场仿真研究现状
    1.3. 海洋目标高分辨率遥感成像仿真面临的问题
        1.3.1. 高精度的海面几何及辐射建模问题
        1.3.2. 船舶与水体的流体交互及三维辐射建模问题
        1.3.3. 紧耦合辐射传输计算
    1.4. 主要研究内容
        1.4.1. 文章结构安排
        1.4.2. 论文的创新点
第二章 海洋目标高分辨率遥感成像仿真原理
    2.1. 海气系统对太阳辐射传输的影响
        2.1.1. 大气对辐射的作用
        2.1.2. 海表对辐射的作用
    2.2. 海面目标光学遥感成像辐射传输路径
        2.2.1. 海表入射辐射
        2.2.2. 海表出射辐射
        2.2.3. 传感器入瞳处辐亮度
    2.3. 海面目标高分辨率卫星成像仿真方法
    2.4. 本章小结
第三章 海面目标场景三维建模
    3.1 船体目标三维模型构建
        3.1.1. 基于不变尺度方法的特征点检测和匹配
        3.1.2. 空间点三维坐标计算
        3.1.3. 基于缩比模型的船体目标三维模型构建
    3.2 海洋背景三维模型构建
    3.3. 基于CFD的船舶航行流场三维模型构建
        3.3.1. 质量守恒方程
        3.3.2. 动量守恒方程
        3.3.3. 湍流模型
        3.3.4. 边界条件
        3.3.5. 基于CFD的船舶航行流场三维模型
    3.4. 基于粒子系统的航行泡沫模拟
    3.5. 本章小结
第四章 基于三维海面场景的高精度辐射模型
    4.1. 船体目标的反射特性
        4.1.1. BRDF模型
        4.1.2 模型参数反演方法
        4.1.3. 模型反演结果
    4.2 高分辨率海面BRDF模型
        4.2.1. 海水的反射率组成
        4.2.2. 海水的方向反射影响因素分析
    4.3. 海面综合场景辐射特性模型
        4.3.1. 材质纹理映射方法
        4.3.2. 目标及海面综合场景的三维辐射模型构建
    4.4. 本章小结
第五章 紧耦合辐射传输计算
    5.1. 逆向蒙特卡洛光线追踪方法
    5.2. 场景内多次反射模拟
        5.2.1. 混合像元模型
        5.2.2. 场景内多次反射模拟
    5.3. 大气效应模拟
        5.3.1. 光线在大气中的传播
        5.3.2 邻近效应影响分析
    5.4. 传感器响应模拟
        5.4.1. 传感器光谱响应模拟
        5.4.2. 传感器空间响应模拟
        5.4.3. 噪声模拟
    5.5. 仿真结果对比
        5.5.1. 目标航行流场仿真结果
        5.5.2 海洋背景仿真结果
    5.6. 本章小结
第六章 总结与展望
    6.1. 总结
    6.2. 展望
参考文献
致谢
在读期间发表的学术论文及其他研究成果

(2)基于水色分类的城市河流黑臭遥感分级方法研究(论文提纲范文)

摘要
Abstract
第1章 绪论
    1.1 选题背景及研究意义
    1.2 国内外研究现状
        1.2.1 城市黑臭水体遥感识别监测研究进展
        1.2.2 城市水体高分遥感面临的邻近效应问题
        1.2.3 城市黑臭水体治理效果评估研究进展
        1.2.4 小结
    1.3 研究目标和研究内容
        1.3.1 研究目标
        1.3.2 研究内容
    1.4 论文技术路线
    1.5 论文结构
第2章 研究区与数据
    2.1 研究区概况
    2.2 地面试验数据的获取
        2.2.1 野外实验
        2.2.2 室内实验
        2.2.3 野外调查中黑臭水体的判别方法
    2.3 Planet Scope影像的获取
第3章 基于邻近效应校正的城市河流高分遥感影像预处理
    3.1 城市河流高分遥感影像预处理流程
        3.1.1 高分遥感影像的邻近效应
        3.1.2 邻近效应的影响
    3.2 城市河流高分遥感影像邻近效应校正方法
        3.2.1 高分遥感影像(Planet Scope)的邻近效应校正方法
        3.2.1.1 邻近效应校正模型构建
        3.2.1.2 邻近效应的特点分析
        3.2.2 邻近效应校正结果评价
    3.3 邻近效应校正前后特征分析
    3.4 本章小结
第4章 结合水色分类与决策树的黑臭水体分级模型
    4.1 基于色系图谱的水色与黑臭程度的关系分析
    4.2 不同黑臭程度水体及水色类型的水质参数差异分析
    4.3 不同黑臭程度水体及水色类型的水体总吸收的贡献因子分析
    4.4 基于决策树的城市黑臭水体分级模型构建
    4.5 邻近效应校正对决策树模型阈值的影响
    4.6 模型精度评价
    4.7 本章小结
第5章 基于高分影像的扬州市黑臭水体的遥感分级
    5.1 扬州市黑臭水体空间分布
        5.1.1 星地同步验证结果
        5.1.2 扬州建成区黑臭水体空间分布
    5.2 扬州市典型河段治理效果对比分析
        5.2.1 扬州市典型河段工程治理概况
        5.2.2 基于高分影像的典型河段黑臭水体时空分布
        5.2.2.1 城市河段黑臭水体的时空变化
        5.2.2.2 郊区河段黑臭水体的时空变化
        5.2.3 扬州市典型黑臭河段治理效果评价
    5.3 本章小结
第6章 结论与展望
    6.1 主要结论及创新点
    6.2 研究不足与展望
参考文献
在读期间发表的学术论文与研究成果
致谢

(3)LED芯片光学参数在线测试若干关键问题研究(论文提纲范文)

摘要
Abstract
1 绪论
    1.1 课题概述
    1.2 LED芯片光学参数在线测试主要误差分析
    1.3 国内外研究进展
    1.4 本文结构及研究内容
    1.5 本章小结
2 面向在线测试效率与精度的光电瞬态响应和光谱特性研究
    2.1 LED芯片光学参数在线测试效率与精度保证策略分析
    2.2 LED芯片光学参数在线测试时序研究
    2.3 LED芯片光学参数在线测试系统光谱特性研究
    2.4 本章小结
3 LED芯片光学参数在线测试系统应用场景误差分析
    3.1 LED芯片光学参数在线测试系统应用场景分析
    3.2 积分球测试位置对LED芯片光学参数在线测试的影响研究
    3.3 倒装芯片在线测试光学介质影响研究
    3.4 倒装LED芯片光学参数在线测试邻近效应研究
    3.5 本章小结
4 倒装LED芯片光学参数在线测试热致误差研究
    4.1 LED光学参数在线测试热致误差的产生机理
    4.2 倒装LED芯片光学参数在线测试热致误差建模及实验研究
    4.3 倒装LED芯片光学参数在线测试热致误差校正研究
    4.4 本章小结
5 LED芯片光学参数在线测试不确定度分析
    5.1 基于GUM法的测量不确定度评估
    5.2 LED芯片光学参数在线测试系统的不确定度评估
    5.3 本章小结
6 总结与展望
    6.1 研究工作总结
    6.2 研究工作展望
致谢
参考文献
附录:攻读博士学位期间发表的论文和申请的专利

(4)高分辨率遥感成像仿真关键技术研究(论文提纲范文)

摘要
ABSTRACT
第1章 绪论
    1.1 研究背景和意义
    1.2 国内外研究现状
        1.2.1 高分辨率遥感卫星发展现状
        1.2.2 遥感成像仿真技术研究现状及发展趋势
    1.3 高分辨率遥感成像仿真面临的若干问题
        1.3.1 三维目标多特性综合建模问题
        1.3.2 高性能辐射计算问题
        1.3.3 紧耦合辐射传输问题
    1.4 主要研究内容
        1.4.1 论文结构安排
        1.4.2 论文的创新点
第2章 基于三维场景的高分辨率遥感辐射模型
    2.1 地气系统对电磁辐射的作用
        2.1.1 大气对电磁辐射的作用
        2.1.2 地表对电磁辐射的作用
    2.2 遥感成像辐射传输路径
        2.2.1 地表入射辐射
        2.2.2 地表出射辐射
        2.2.3 传感器入瞳处辐射亮度
    2.3 基于三维场景的高分辨率遥感成像仿真方法
    2.4 本章小结
第3章 高精细度数字场景的辐射特性模型研究
    3.1 高精度数字场景构建
        3.1.1 真实场景测量
        3.1.2 三维场景建模
        3.1.3 多边形三维模型
    3.2 地物方向反射特性
        3.2.1 BRDF模型
        3.2.2 BRDF模型参数反演方法
    3.3 大气散射对BRDF模型参数反演的影响和修正
        3.3.1 自然条件下BRF测量模型
        3.3.2 大气散射对BRF测量的影响
        3.3.3 自然条件下BRDF特征参数反演
        3.3.4 大气散射影响修正验证
    3.4 地表辐射特性模型
        3.4.1 材质纹理映射技术
    3.5 本章小结
第4章 基于神经网络的光辐射参数计算
    4.1 光辐射参数
    4.2 神经网络模型
        4.2.1 神经元
        4.2.2 前馈网络模型
        4.2.3 万能近似性质
    4.3 构建与训练神经网络
        4.3.1 训练数据构建与预处理
        4.3.2 网络结构
        4.3.3 训练算法
        4.3.4 网络训练过程
    4.4 网络训练结果
        4.4.1 神经网络训练结果
        4.4.2 任意条件下光辐射参数计算
    4.5 本章小结
第5章 基于蒙特卡洛光线追踪的入瞳处辐射场计算
    5.1 逆向蒙特卡洛光线追踪方法
    5.2 大气效应模拟
        5.2.1 光线发射
        5.2.2 光线与大气的交互
        5.2.3 邻近效应影响因素分析
    5.3 地物间多次反射现象模拟
        5.3.1 光谱混合
        5.3.2 光线追踪模拟多次反射
    5.4 仿真结果对比验证
    5.5 本章小结
第6章 总结与展望
参考文献
致谢
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果

(5)二维材料磁性相关问题的第一性原理研究(论文提纲范文)

摘要
ABSTRACT
第一章 绪论
    1.1 磁学概述
        1.1.1 磁学的起源和发展
        1.1.2 自旋电子学
        1.1.3 磁性半导体和半金属
        1.1.4 磁晶各向异性和磁阻挫
    1.2 磁交换理论
        1.2.1 磁交换作用模型
        1.2.2 海森堡模型及居里温度
    1.3 二维磁性材料
        1.3.1 二维材料简介
        1.3.2 二维非磁性材料的磁化
    1.4 本文的研究内容
    1.5 参考文献
第二章 第一性原理计算
    2.1 第一性原理
        2.1.1 多粒子系统薛定谔方程
        2.1.2 Born-Oppenheimer近似
        2.1.3 Hartree-Fock近似
    2.2 密度泛函理论
        2.2.1 Hohenberg-Kohn定理
        2.2.2 Kohn-Sham方程
    2.3 交换相关能量泛函
        2.3.1 局域密度近似(LDA)
        2.3.2 广义梯度近似(GGA)
        2.3.3 杂化密度泛函
        2.3.4 密度泛函理论常用的软件包
    2.4 参考文献
第三章 二维金属有机框架材料磁性研究
    3.1 二维kagome晶格过渡金属酞菁薄膜
        3.1.1 背景介绍
        3.1.2 模型与方法
        3.1.3 结果和讨论
        3.1.4 本节小结
    3.2 二维hexagonal晶格过渡金属亚酞菁薄膜
        3.2.1 背景介绍
        3.2.2 模型与方法
        3.2.3 结果与讨论
        3.2.4 本节小结
    3.3 二维square晶格过渡金属四氮杂卟啉薄膜
        3.3.1 背景介绍
        3.3.2 模型与方法
        3.3.3 结果与讨论
        3.3.4 本节小结
    3.4 二维kagome晶格过渡金属苯六硫醇薄膜
        3.4.1 背景介绍
        3.4.2 模型与方法
        3.4.3 结果与讨论
        3.4.4 本节小结
    3.5 参考文献
第四章 邻近效应下二维非磁性材料的磁化
    4.1 邻近效应的方法简介
    4.2 邻近效应磁化磷烯
        4.2.1 背景介绍
        4.2.2 模型与方法
        4.2.3 结果与讨论
        4.2.4 本节小结
    4.3 邻近效应磁化硅烯和锗烯
        4.3.1 背景介绍
        4.3.2 模型与方法
        4.3.3 结果与讨论
        4.3.4 本节小结
    4.4 参考文献
第五章 过渡金属掺杂磷烯磁各向异性研究
    5.1 背景介绍
    5.2 模型与方法
    5.3 结果与讨论
    5.4 本节小结
    5.5 参考文献
致谢
在读期间发表的学术论文和取得的研究成果

(6)微纳系统电子束光刻关键技术及相关机理研究(论文提纲范文)

摘要
Abstract
第1章 绪论
    1.1 课题背景及意义
    1.2 国内外研究现状及趋势
        1.2.1 微纳机电系统的现状及趋势
        1.2.2 光刻技术工艺现状及趋势
        1.2.3 电子束光刻工艺现状及趋势
        1.2.4 电子束光刻技术的关键工艺问题现状及趋势
    1.3 课题来源及主要研究内容
        1.3.1 课题来源
        1.3.2 主要研究内容
第2章 电子束光刻的基本理论与关键技术分析
    2.1 电子束曝光系统的分析
        2.1.1 电子束曝光系统的分类
        2.1.2 电子束曝光系统的组成
    2.2 电子抗蚀剂的分析
        2.2.1 电子抗蚀剂的分类
        2.2.2 正性电子抗蚀剂的性能分析
        2.2.3 负性电子抗蚀剂的性能分析
    2.3 电子束光刻技术的工艺问题分析
    2.4 本章小结
第3章 电荷积累的产生机理及导电胶抑制的研究
    3.1 绝缘衬底对电子束光刻的影响
        3.1.1 问题提出
        3.1.2 电荷积累产生的影响
    3.2 电荷积累机理分析及模型构建
        3.2.1 测试图形的偏移分析
        3.2.2 图形偏移的物理模型构建
    3.3 可溶性导电胶抑制电荷积累的研究
        3.3.1 可溶性导电胶的特性分析
        3.3.2 实验过程与方法
        3.3.3 测试结果与分析
    3.4 本章小结
第4章 电磁波热效应抑制图形坍塌与粘连的研究
    4.1 图形坍塌及粘连的机理
        4.1.1 问题提出
        4.1.2 去离子水的表面张力
        4.1.3 去离子水诱发图形坍塌及粘连的机理
    4.2 抗蚀剂图形的实验
        4.2.1 高高宽比HSQ抗蚀剂图形的实验设计与仪器制造
        4.2.2 图形坍塌和粘连的实验结果
    4.3 电磁波热效应干燥机理及抑制效果分析
        4.3.1 电磁波激励产生交变电场的参数设计
        4.3.2 电磁波的热效应干燥机理
        4.3.3 电磁波热效应的抑制效果分析
    4.4 本章小结
第5章 电子束光刻中邻近效应的校正方法及优化
    5.1 电子束光刻中邻近效应的产生机理与校正函数优化
        5.1.1 问题提出
        5.1.2 邻近效应的产生机理
        5.1.3 邻近效应校正函数的优化构建
    5.2 电子束曝光邻近效应的实验现象分析
        5.2.1 曝光邻近效应的电子运行轨迹模拟仿真
        5.2.2 邻近效应的实验现象分析
    5.3 电子束曝光邻近效应的校正方法及结果分析
        5.3.1 工艺校正方法及效果分析
        5.3.2 非工艺校正方法及效果分析
    5.4 本章小结
结论
参考文献
攻读学位期间发表的学术论文
致谢

(7)应用于深亚波长光刻的光学邻近校正技术研究(论文提纲范文)

致谢
摘要
Abstract
目录
插图列表
表格列表
1 绪论
    1.1 信息社会与集成电路
    1.2 集成电路的生产制造
    1.3 光刻技术及其挑战
        1.3.1 印刷术和石板印刷术的历史
        1.3.2 应用于集成电路生产的光刻技术
        1.3.3 光刻技术面临的挑战
    1.4 分辨率增强技术
        1.4.1 分辨率和焦深
        1.4.2 移相掩模技术
        1.4.3 离轴照明技术
        1.4.4 浸润式光刻
        1.4.5 多重成像
    1.5 论文的研究内容及创新点
    1.6 论文的组织结构
    1.7 本章小结
2 光学邻近校正技术
    2.1 引言
    2.2 光学邻近效应
        2.2.1 特征尺寸相关的光学邻近效应
        2.2.2 实际版图图形的光学邻近效应
    2.3 基于规则的光学邻近校正技术
        2.3.1 对各种光学邻近效应的校正方法
        2.3.2 规则的匹配
    2.4 基于模型的光学邻近校正技术
        2.4.1 光刻仿真
        2.4.2 图形切割
        2.4.3 边的平移校正
        2.4.4 层次结构处理
    2.5 本章小结
3 一维版图的快速光刻仿真
    3.1 引言
    3.2 一维版图设计规则
    3.3 光刻系统模型
        3.3.1 光刻成像系统
        3.3.2 部分相干光成像模型
        3.3.3 基于卷积核的快速点光强计算
    3.4 集成电路版图
    3.5 一维版图的快速平面光学仿真
        3.5.1 一维基元函数
        3.5.2 查找表的建立
        3.5.3 大面积版图的光学仿真
    3.6 实验结果
        3.6.1 查找表建立时间
        3.6.2 基本图形仿真比较
        3.6.3 大面积版图仿真比较
    3.7 本章小结
4 光学邻近校正的切割
    4.1 引言
    4.2 版图复杂度与掩模板的生产成本
    4.3 传统的切割以及整边校正
        4.3.1 传统的切割方式
        4.3.2 整边校正
    4.4 版图中的关键点及其切割策略
        4.4.1 晶体管
        4.4.2 连线
        4.4.3 通孔
    4.5 关键点图形的识别
        4.5.1 图形布尔运算
        4.5.2 自身图形分类
        4.5.3 图形环境识别
        4.5.4 完整的基于成品率的切割流程
    4.6 实验结果
    4.7 本章小结
5 光学邻近校正中的层次结构处理
    5.1 引言
    5.2 传统的全版图校正方法
        5.2.1 扁平化的全版图校正方法
        5.2.2 基于单元的光学邻近校正
    5.3 混合式层次结构处理
        5.3.1 阵列式模块电路的层次结构处理
        5.3.2 随机逻辑电路的层次结构处理
        5.3.3 混合式版图的层次结构处理
    5.4 实验结果
    5.5 本章小结
6 总结与展望
    6.1 论文总结
    6.2 工作展望
参考文献
作者简历及攻读学位期间取得科研成果

(8)10纳米以下图形电子束曝光的研究(论文提纲范文)

摘要
Abstract
目录
第一章:绪论
    1.1 高分辨电子束曝光的研究背景
    1.2 高分辨电子束曝光的研究现状
    1.3 高分辨电子束曝光的应用
    1.4 高分辨电子束曝光的主要挑战
    1.5 本论文的动机以及主要工作
    1.6 论文内容安排
    参考文献
第二章:高分辨电子束曝光的基本理论
    2.1 电子束与抗蚀剂的相互作用
        2.1.1 电子束在固体材料中的散射
        2.1.2 电子在抗蚀剂中的轨迹
        2.1.3 点扩散函数与邻近效应
    2.2 电子束曝光系统
        2.2.1 电子束曝光系统的硬件组成
        2.2.2 电子束曝光系统的软件控制系统
        2.2.3 电子束曝光系统的参数评价
        2.2.4 电子束曝光系统的分类
    2.3 电子束抗蚀剂
        2.3.1 抗蚀剂的分类
        2.3.2 抗蚀剂工艺
        2.3.3 抗蚀剂的评价标准
    2.4 高分辨电子束曝光的流程
    2.5 高分辨电子束曝光的关键指标
        2.5.1 分辨率
        2.5.2 均匀度
        2.5.3 精确度
    2.6 高分辨电子束曝光的工艺参数
    2.7 本章小结
    参考文献
第三章:10纳米以下电子束曝光的分辨率极限研究
    3.1 研究背景
    3.2 高分辨电子束曝光分辨率的主要限制因素
        3.2.1 点扩散函数
        3.2.2 显影对比度
        3.2.3 测量
    3.3 10纳米以下电子束曝光的工艺优化
        3.3.1 电子束抗蚀剂曝光前的优化
        3.3.2 曝光过程的优化
        3.3.3 影过程的优化
        3.3.4 其它参数优化
    3.4 实验结果
        3.4.1 灵敏度与对比度
        3.4.2 分辨率
    3.5 高分辨电子束曝光的TEM测量
        3.5.1 研究背景
        3.5.2 TEM制样与测量过程
        3.5.3 TEM测量结果与SEM的比较
        3.5.4 电子束曝光的分辨率极限研究
        3.5.5 点与线扩散函数的TEM测量与模拟
        3.5.6 TEM表征的缺陷讨论
    3.6 电子束曝光的AFM测量
        3.6.1 AFM测量的策略与制样
        3.6.2 测量结果与分析
    3.7 电子束曝光分辨率限制的分析
        3.7.1 图形的剂量分布计算
        3.7.2 HSQ分辨率极限的讨论
    3.8 负胶PMMA的极限分辨率研究
        3.8.1 研究背景
        3.8.2 对比度曲线与剂量
        3.8.3 负胶PMMA分辨率极限的研究
    3.9 高分辨电子束曝光的其它分辨限制
        3.9.1 最佳剂量与深宽比
        3.9.2 束流与束斑尺寸
        3.9.3 加速电压
    3.10 本章小结
    参考文献
第四章:电子束曝光和辐照直接制备碳纳米结构
    4.1 研究背景
    4.2 高能电子束原位辐照PMMA纳米纤维制备石墨纳米结构
        4.2.1 超细PMMA纤维的制备
        4.2.2 高分辨透射电镜原位实验
        4.2.3 电子束原位辐照超细PMMA纳米纤维制备石墨烯纳米带
        4.2.4 电子束辐照PMMA制备富勒烯、石墨纳米尖和纳米孔
        4.2.5 本节小结
    4.3 电子束曝光直接制备图形化碳纳米结构
        4.3.1 实验过程
        4.3.2 表面形貌的研究
        4.3.3 EDX与拉曼光谱
        4.3.4 本节小结
    4.4 讨论与结论
    4.5 本章小结
    参考文献
第五章:基于电子束曝光的毛细力自组装研究
    5.1 研究背景
        5.1.1 高分辨电子束曝光的困难
        5.1.2 自组装与功能结构的自组装
        5.1.3 毛细力与毛细力自组装
    5.2 电子束曝光显影中的毛细力行为研究
        5.2.1 高深宽比纳米结构的力学稳定性
        5.2.2 毛细力引起高深宽比纳米结构的坍塌
        5.2.3 毛细力引起纳米棒坍塌的结果分析与讨论
    5.3 毛细力引起的纳米凝聚研究
        5.3.1 不对称毛细力及其设计
        5.3.2 简单的毛细力自组装
        5.3.3 多元素的毛细力自组装
        5.3.4 复杂的分层次的毛细力自组装
        5.3.5 本节小结
    5.4 基于毛细力自组装的光刻技术研究
        5.4.1 基于高深宽比结构之间毛细力的光刻
        5.4.2 基于倾斜形貌的光刻
        5.4.3 基于各向异性形貌的毛细力光刻
        5.4.4 本节小结
    5.5 讨论与结论
    5.6 本章小结
    参考文献
第六章:总结与展望
    6.1 本论文的工作总结
        6.1.1 电子束曝光分辨率极限工艺与它的机理研究
        6.1.2 电子束辐照与曝光PMMA直接制备石墨纳米结构
        6.1.3 基于高分辨电子束曝光的可控毛细力自组装
    6.2 未来工作展望
致谢
博士期间的研究成果

(9)遥感图像辐射校正及邻近效应去除的研究(论文提纲范文)

摘要
Abstract
第1章 绪论
    1.1 课题来源及研究的目的和意义
    1.2 国内外发展概况
        1.2.1 基于辐射传输模型求解的方法
        1.2.2 利用图像本身信息进行校正的方法
        1.2.3 邻近效应及其去除方法
        1.2.4 国内辐射校正方法研究进展
    1.3 论文主要内容及结构安排
第2章 大气辐射传输理论
    2.1 引言
    2.2 大气构成与大气特性
    2.3 辐射传输理论在成像遥感中的应用
        2.3.1 大气吸收特性分析
        2.3.2 大气散射特性分析
        2.3.3 气溶胶光学特性和分子光学特性分析
        2.3.4 理想化地-气辐射传输
        2.3.5 目标地物地表特性分析
    2.4 本章小结
第3章 邻近效应分析和大气点扩散函数的获取
    3.1 引言
    3.2 遥感成像中邻近效应分析
    3.3 基于蒙特卡罗方法求解大气点扩散函数
        3.3.1 蒙特卡罗方法原理及其特点
        3.3.2 光子与大气粒子的随机碰撞过程
        3.3.3 散射相函数和大气光学厚度的获取
    3.4 大气点扩散函数求解结果和分析
    3.5 本章小结
第4章 大气辐射校正系统的设计和实现
    4.1 引言
    4.2 校正系统的设计和实现
        4.2.1 大气辐射校正一般方法
        4.2.2 基于辐射传输模型的大气校正系统的设计和实现
        4.2.3 大气参数与气溶胶粒子反演
        4.2.4 邻近效应处理
    4.3 实验数据
    4.4 校正结果评价
        4.4.1 图像校正结果目视评价
        4.4.2 基于光谱特性的评价
        4.4.3 基于不同地物校正前后光谱角评价
    4.5 本章小结
结论
参考文献
攻读学位期间发表的学术论文
致谢

(10)适用于超深亚微米集成电路制造与验证流程的光学邻近修正方法研究(论文提纲范文)

摘要
Abstract
1 绪论
    1.1 引言
    1.2 集成电路制造工艺流程
    1.3 光学邻近效应
    1.4 分辨率增强技术
        1.4.1 光学邻近修正
        1.4.2 移相掩模
        1.4.3 离轴照明
        1.4.4 次分辨率辅助图形
        1.4.5 各种光刻分辨率增强技术的结合使用
    1.5 集成电路的可制造性设计
    1.6 论文的研究内容、创新点及论文的安排
    1.7 本章小结
2 光学邻近修正的基本方法
    2.1 引言
    2.2 光学邻近效应的基本分类及其对应的修正方案
        2.2.1 一维图形的光学邻近效应
        2.2.2 二维图形的光学邻近效应
    2.3 基于规则的光学邻近修正算法
    2.4 基于模型的光刻邻近修正算法
    2.5 其它类型的的光学邻近修正算法
    2.6 本章小结
3 光刻成像建模方法及其实现
    3.1 引言
    3.2 光刻成像建模及点光强计算的快速算法
        3.2.1 光刻成像系统的基本构成
        3.2.2 基于部分相干理论的光刻成像模型
        3.2.3 基于卷积核的快速点光强计算算法
        3.2.4 光刻胶模型
    3.3 光刻仿真系统的实现
        3.3.1 软件的系统架构
        3.3.2 软件的使用方法简介
        3.3.3 脚本实例、实验结果及比较
    3.4 本章小结
4 矩阵式光学邻近修正算法
    4.1 引言
    4.2 问题的表述
        4.2.1 泛光强分布函数
        4.2.2 基于泛光强分布函数表述的OPC问题
    4.3 问题的求解
    4.4 加速计算的若干方案
        4.4.1 Jacobian矩阵稀疏度控制
        4.4.2 区块重用
    4.5 实验结果及比较
    4.6 本章小结
5 基于边偏移函数的光学邻近修正算法
    5.1 引言
    5.2 边偏移量的建模方法
    5.3 利用边偏移函数为MBOPC算法提供迭代初值的方法
        5.3.1 基本方法
        5.3.2 实验结果与比较
    5.4 OPC不友好区域的检测
    5.5 适用于光刻友好版图设计的自动化光学邻近修正算法
        5.5.1 基于颗粒度的边切分方法
        5.5.2 算法的基本流程
        5.5.3 实验结果与比较
    5.6 基于边偏移函数改进的标准单元导向的光学邻近修正算法
        5.6.1 算法的基本流程
        5.6.2 实验结果与比较
    5.7 本章小结
6 结束语
    6.1 论文总结
    6.2 后续研究思路
参考文献
个人简历、在学期间的研究成果及发表的论文
致谢

四、邻近效应校正函数及参数确定(论文参考文献)

  • [1]海洋目标高分辨率遥感成像仿真方法研究[D]. 宋波. 中国科学技术大学, 2021(09)
  • [2]基于水色分类的城市河流黑臭遥感分级方法研究[D]. 李玲玲. 南京师范大学, 2021
  • [3]LED芯片光学参数在线测试若干关键问题研究[D]. 陈腾飞. 华中科技大学, 2019(01)
  • [4]高分辨率遥感成像仿真关键技术研究[D]. 陈川. 中国科学技术大学, 2018(10)
  • [5]二维材料磁性相关问题的第一性原理研究[D]. 陈浩琪. 中国科学技术大学, 2018(01)
  • [6]微纳系统电子束光刻关键技术及相关机理研究[D]. 于明岩. 哈尔滨理工大学, 2015(05)
  • [7]应用于深亚波长光刻的光学邻近校正技术研究[D]. 谢春蕾. 浙江大学, 2014(07)
  • [8]10纳米以下图形电子束曝光的研究[D]. 段辉高. 兰州大学, 2010(10)
  • [9]遥感图像辐射校正及邻近效应去除的研究[D]. 焦海斌. 哈尔滨工业大学, 2009(S2)
  • [10]适用于超深亚微米集成电路制造与验证流程的光学邻近修正方法研究[D]. 陈晔. 浙江大学, 2008(07)


邻近效应论文 辐射校正论文 仿真软件论文 辐射剂量论文 测试模型论文

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