刘新新[1]（2010）在《SOI PDP扫描驱动电路设计》文中进行了进一步梳理等离子体显示平板（PDP:Plasma Display Panel）是目前市场上主流的平板显示器之一,它具有显示效果好、寿命长、视角广、响应快、厚度薄等优点,非常适合于高清数字电视和大屏慕显示。驱动芯片作为其核心技术之一,采用高低压集成技术,具有很高的技术含量,目前技术掌握在国外公司手里,国内还处于研发阶段,还没有成熟的产品,因此设计开发PDP驱动芯片具有重要的意义。本文旨在设计一款基于SOI（Silicon on Insulator）的PDP扫描驱动芯片。与传统体硅技术相比,SOI技术具有高速、低功耗、高集成度、良好的隔离、寄生效应小以及可靠性高等优点。本文对基于SOI工艺的PDP扫描驱动电路进行探究,主要内容包括PDP的发展状况、PDP显示器的工作原理、PDP扫描驱动电路的设计理念以及电路仿真、版图设计和工艺实现几个部分。首先简述了当前PDP的发展状况和显示器工作原理,以及扫描驱动芯片在PDP显示器中的作用,详细介绍了PDP扫描驱动电路的设计。按照扫描驱动芯片各部分功能将电路分为管脚电路、双向移位寄存器、锁存器、选择器以及高压电平位移电路这几部分,依次对各部分子模块的电路结构、实现形式和逻辑功能进行了详细的阐述。同时使用HSPICE电路仿真软件对各子电路和整体电路的功能进行了仿真验证,电路整体仿真过程中,对一些关键管脚的逻辑控制作用进行了具体的仿真,仿真结果都达到设计目标。在版图设计和工艺实现部分,简要的给出了版图设计规则和主要的工艺流程。本设计的96位PDP扫描驱动芯片基于顶层硅厚度为11μm、埋氧层厚度为1μm的厚膜SOI材料,目前已完成流片,并可成功动态点屏。
樊哲高,杨晓海[2]（2009）在《东博会：动漫和信息技术携手“唱大戏”》文中研究说明2009年东北亚高新技术博览会(简称东博会)在沈阳成功举办。来自俄罗斯、日本、韩国、朝鲜、蒙古等21个国家和地区的63个代表团、20个国内城市代表团和中国科学院12个分院参加了博览会。本届博览会以“创新、合作、发展、共赢”为主题，全面展示了航空航天、新能源、生物医药、?
蔡琪[3]（2007）在《新型Ag-ITO复合薄膜的制备、微结构及光电性质表征》文中研究表明由高反射、高电导的金属材料和透明导电材料构成的透反射式高电导复合薄膜，因为具有独特的光学和电学性质，对该复合体系开展研究具有重要的理论意义和实用价值。在液晶显示领域将其作为LCD显示器件的下电极材料，开发出新型透反射式技术已成为现代LCD显示领域中一项不可或缺的技术。本文制备了透反射式高电导Ag-ITO系列复合薄膜，从实验上和理论上重点研究了薄膜的光电特性与薄膜组分及微结构之间的关系，并建立了用效能因子和分光比共同评价新型透反射式高电导复合薄膜综合品质因素的体系。研究目的在于探索新的、结构性能优异的透反射式高电导光电功能薄膜材料，推进Ag-ITO复合薄膜在新型透反射式LCD显示技术中的应用。本文主要研究内容如下：1．在透反射式高电导Ag-ITO复合薄膜体系的设计和光电特性的表征中，会涉及到Ag组分处于低维状态时的微结构和光电特性。所以，专门用直流溅射技术制备了不同厚度的Ag膜，并用X射线衍射，表面轮廓仪，紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪对不同厚度Ag膜的微结构、膜厚以及光电特性特进行了研究。2．用X射线衍射、X射线光电子能谱、表面轮廓仪，紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪研究了热处理前后直流溅射ITO薄膜的微结构、化学组分、膜厚以及光电特性特。3．探索了用直流磁控溅射制备透反射式高电导Ag-ITO复合薄膜的方法，制备了不同Ag膜膜厚的Ag-ITO复合薄膜。X射线衍射分析表明，Ag-ITO复合薄膜中，ITO保持In2O3体心立方的晶体结构不变；随着Ag膜厚度的增加，ITO（222）衍射峰强度逐渐增加，（400）衍射峰强度总体呈下降趋势；Ag仅出现了衍射角为38°左右的（111）衍射峰。4．用紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪研究了复合薄膜的光电特性。研究结果表明，Ag膜的微结构和厚度对复合薄膜的光电行为有着重要的影响。随着Ag膜厚度的增加，Ag从颗粒膜状态向连续膜状态过渡；Ag-ITO薄膜在可见光范围内的平均透射率和反射率逐渐增大，对可见光的吸收呈逐渐降低趋势；Ag-ITO复合薄膜电阻率呈下降趋势，导电性能增强。特别注意到，当Ag膜厚度为12．5nm时，Ag-ITO复合薄膜的电阻率比单层ITO薄膜的电阻率下降了一个数量级。用多光束透反射和并联电阻理论模型对透反射式高电导Ag-ITO复合薄膜独特的光电行为做出了定性的解释。5．提出透反射式高电导薄膜效能因子和分光比的概念，并以此为基础，建立评价Ag-ITO复合薄膜以及一类透反射式导电薄膜品质因素的普适评价标准。本文的创新点为：◆率先提出采用具有高反射和高电导的金属材料Ag和透明导电材料ITO以纳米形式复合，形成新型的透反射式高电导Ag-ITO复合薄膜，并通过控制Ag的复合量来控制复合薄膜的光透反射性能和导电性能。并提出将复合薄膜作为LCD下电极材料，研制开发新型的透反射式LCD显示器件。◆提出基于透射光谱，利用椭偏解谱软件FilmWizard和非线性回归分析软件1stOpt，以多光束透反射模型拟合得到薄膜厚度和光学常数的新方法。◆首次提出透反射式导电薄膜的效能因子和分光比概念，建立用效能因子和分光比来共同评价Ag-ITO复合薄膜品质因素的标准，并将其应用于一类透反射式导电薄膜综合品质因素的普适评价。
李芮慈[4]（2006）在《剖析2006 CES数字家庭市场 服务内容推动数字家庭迈向成功》文中指出随着显示技术与影像处理能力的提升,"满足消费者视觉享受革命"的主题在这次美国国际消费性电子产品展（CES）中展露无疑,数字电视、电视手机、索尼 PSP 以及高像素数码相机等产品,皆是吸引用户眼光驻足的焦点,不仅能满足未来消费者对声光效果的应用需求,并且将成为未来商机所在,这也透露未来数字家庭设备以及应用服务的发展重心。
黄丹晖,陈科[5]（2004）在《我国等离子彩电发展态势的预测与分析》文中指出分析我国等离子彩电在未来几年的发展态势,必须认识到我国彩电也在面对加入WTO后呈现出的不同特征,并结合等离子彩电本身具有的特殊性;利用SWOT分析法,一一阐述了等离子彩电发展面临的外部机会和威胁以及自身具备的优势和劣势,并从中得出了等离子彩电要成为高端彩电的主流必须克服的三大问题。
丁伟[6]（2004）在《39摩尔定律不惑之年》文中研究指明走过了将近39个春秋的IT第一法则——摩尔定律,还能延续吗?类似质疑其实在过去的一些年中不断浮现,又不断沉没,而质疑者甚至也曾包括摩尔本人。
康晓宁[7]（2004）在《Intel“硅上液晶”:进军数字电视芯片》文中认为 不久之后,Intel芯片可能不仅在你的电脑中,还可能就在你家客厅的电视中。最近,Intel“为数字电视生产芯片”的计划广受关注,如果基能按计划进行,可能会大大促进数字电视进入家庭的速度,背投电视的价格将比预期下降得快,高清晰度电视市场也将比预期扩展得迅速。 据透露,Intel总裁兼COO Paul Otellini将在2004年1月举行的消费电子展上向世界展示Intel使用“硅上液晶”(Liquid
代永平[8]（2003）在《LCoS（硅基液晶）显示器设计》文中研究表明本篇论文研究设计了一类硅基液晶（Liquid Crystal on Silicon,简称LCoS）显示器,其中主要涉及到两款不同用途的LCoS 显示芯片研制。LCoS 显示器是一种“夹心结构”——单晶硅基底片和镀有ITO 膜的玻璃片“夹”（封装）一层液晶材料。我们把视频转换电路、行扫描驱动电路和象素矩阵制作在硅基底上,而ITO 膜用作公共电极,液晶材料则工作在固定频率的交流信号下（场反转模式）。LCoS 设计成快速响应光阀,通过调制每个象素对入射光（来自时序光源）的反射程度（灰度）实现图像显示。实际上,LCoS 显示技术是硅半导体平面技术与平板显示技术发展到相对成熟阶段相结合而诞生,因而具有了VLSI 技术的全部设计特征,然而就其功能与应用领域而言,LCoS 显示器仍是显示市场的一个产品。本篇论文的研究工作不仅仅是局限于设计出两款可实现的LCoS 显示芯片（其中一款已在首钢日电成功流片,并封装成液晶盒实现了视频图像显示）,更重要的是使人们能够对LCoS 电路设计、版图设计、相关制作工艺和系统设计有足够的了解。论文大致可分为四个部分。第一部分（第1、2 章）阐明本篇论文的立题意义,综述液晶平板显示器应具备的基本性能。第二部分（第3、4 章）是本篇论文研究工作的理论基础,其间全面概述了目前系统芯片（SoC）物理设计方法,涉及到各种设计流程、工艺流程、EDA 辅助设计软件等,还介绍了具体的数模混合基本电路单元。第三部分（第5、6、7 章）基于前面对液晶显示器的认识,对SoC 物理设计方法的掌握,并结合已具备的数模混合电路经验,系统论述并设计了两款LCoS 显示器,一款是可用于近眼显示系统的场序彩色化微型LCoS 显示器,另一款是可用于投影显示系统的单色LCoS 显示器,该单色LCoS 显示芯片已成功流片,论文中将给出芯片实物照片、光学性能实测结果和所显示的视频图像。第四部分（第8、9 章）概述了LCoS 显示器制造工艺,总结了本篇论文的设计要点,而且对论文工作进行深层次的挖掘,尝试着提出建立硅基显示芯片的IP 模块,并探讨相应的设计方法。本篇论文主要创新点有四个方面: （1） 不连续场序光脉冲彩色模式设计。（2） 低功耗数模转换器设计。（3） 公共电极场反转低压驱动液晶显示设计。（4） 建立硅基液晶显示芯片的IP 重用设计模块。另外,本篇论文还有一个独到之处,即论文中相关的研究工作没有仅仅停留在理论研究和计算机辅助设计,而是进一步把研究工作实物化,根据实际CMOS 生产线的工艺要求,设计了一类用于投影显示系统的单色LCoS 显示芯片,并付诸生产流片,论文中给出相应生产出的芯片实物照片和光学性能实测结果。
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 PDP 的市场前景分析 |
| 1.3 PDP 驱动电路的国内外动态 |
| 1.4 本文的主要工作 |
| 第二章 PDP 的工作原理 |
| 2.1 彩色PDP 的分类 |
| 2.2 表面放电型AC-PDP 的结构及工作原理 |
| 2.3 PDP 显示屏的驱动电路 |
| 2.4 PDP 显示屏的驱动方法 |
| 第三章 PDP 扫描驱动电路设计 |
| 3.1 总体功能设计 |
| 3.2 低压逻辑控制部分子模块结构和功能 |
| 3.2.1 管脚电路 |
| 3.2.1.1 LE、CLR、A/B 和CLK 管脚电路 |
| 3.2.1.2 双向端口DA、DB 管脚电路 |
| 3.2.1.3 选择器控制端OC1、OC2 管脚电路 |
| 3.2.2 96 位双向移位寄存器 |
| 3.2.2.1 D 锁存器 |
| 3.2.2.2 CMOS D 触发器 |
| 3.2.2.3 双向移位寄存器 |
| 3.2.2.4 96 位双向移位寄存器的实现 |
| 3.2.3 96 位锁存器 |
| 3.2.4 选择器 |
| 3.3 高压电平位移电路设计 |
| 3.4 电路整体功能仿真 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 实验结果 |
| 4.1 版图设计 |
| 4.1.1 版图设计规则 |
| 4.1.2 PDP 扫描驱动电路设计规则 |
| 4.1.3 PDP 扫描驱动电路版图 |
| 4.2 SOI 技术实现PDP 扫描驱动电路 |
| 4.2.1 SOI 技术概述 |
| 4.2.2 PDP 驱动电路中的SOI 技术 |
| 4.2.3 PDP 扫描驱动芯片的工艺实现 |
| 4.3 测试结果 |
| 4.3.1 高压器件测试 |
| 4.3.2 电路功能测试 |
| 4.3.3 芯片上屏测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 引言 |
| §1.2 国内外相关研究工作 |
| 1.2.1 国外相关研究工作 |
| 1.2.2 国内相关研究工作 |
| §1.3 本文主要研究工作 |
| §1.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第二章 样品制备及结构性能表征 |
| §2.1 磁控溅射镀膜及其原理 |
| §2.2 薄膜微结构的表征 |
| §2.3 薄膜组分及化学状态的表征 |
| §2.4 薄膜厚度的表征 |
| 2.4.1 表面轮廓仪测量膜厚 |
| 2.4.2 椭偏解谱软件FilmWizard拟合透射光谱确定膜厚 |
| 2.4.3 非线性回归分析软件1stOpt拟合透射光谱确定膜厚 |
| §2.5 薄膜光学性能的表征 |
| 2.5.1 透射光谱 |
| 2.5.2 反射光谱 |
| 2.5.2.1 小角(5°)斜入射反射光的偏振性问题 |
| 2.5.2.2 相对反射与绝对反射 |
| 2.5.3 吸收光谱 |
| §2.6 薄膜电学性能的表征 |
| 2.6.1 面电阻的定义 |
| 2.6.2 面电阻的测量及四探针法原理 |
| §2.7 小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 Ag膜的制备、微结构及其特性 |
| §3.1 样品制备 |
| 3.1.1 基片的清洗 |
| 3.1.2 溅射镀膜 |
| §3.2 微结构分析 |
| §3.3 膜厚测量 |
| 3.3.1 表面轮廓仪测量膜厚 |
| 3.3.2 椭偏解谱软件FilmWizard拟合透射光谱确定膜厚 |
| 3.3.3 非线性回归分析软件1stOpt拟合透射光谱确定膜厚 |
| §3.4 光学特性 |
| 3.4.1 透射光谱分析 |
| 3.4.2 反射光谱分析 |
| 3.4.3 吸收光谱分析 |
| 3.4.4 光学常数分析 |
| §3.5 电学特性 |
| §3.6 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 ITO膜的制备、微结构、组分及其特性 |
| §4.1 样品制备 |
| 4.1.1 基片的清洗 |
| 4.1.2 溅射镀膜 |
| §4.2 微结构分析 |
| §4.3 组分及化学态分析 |
| §4.4 膜厚测量 |
| 4.4.1 表面轮廓仪测量膜厚 |
| 4.4.2 椭偏解谱软件FilmWizard拟合透射光谱确定膜厚 |
| 4.4.3 非线性回归分析软件1stOpt拟合透射光谱确定膜厚 |
| §4.5 光学特性 |
| 4.5.1 透射光谱分析 |
| 4.5.2 反射光谱分析 |
| 4.5.3 吸收光谱分析 |
| 4.5.4 光学常数分析 |
| §4.6 电学特性 |
| §4.7 小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 Ag-ITO复合薄膜的制备、微结构及其特性 |
| §5.1 样品制备 |
| 5.1.1 基片的清洗 |
| 5.1.2 溅射镀膜 |
| §5.2 微结构分析 |
| §5.3 膜厚测量 |
| §5.4 光学特性 |
| 5.4.1 透射光谱分析 |
| 5.4.2 反射光谱分析 |
| 5.4.3 吸收光谱分析 |
| 5.4.4 透反射实例 |
| §5.5 电学特性 |
| §5.6 效能因子和分光比 |
| §5.7 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 结论 |
| 结语 |
| 附录1:JADE数据分析软件简介 |
| 附录2:1stOpt优化分析软件简介 |
| 附图表 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表论文 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 五彩缤纷的显示世界 |
| 1.2 一种新型的反射式液晶显示技术——LCoS |
| 1.3 论文立题意义 |
| 1.4 论文设计工作导论 |
| 第2章 LCoS 显示技术 |
| 2.1 液晶显示器分类 |
| 2.1.1 从光学模式上分类 |
| 2.1.2 从液晶驱动方式上分类 |
| 2.2 有源液晶显示技术 |
| 2.2.1 基本性能指标 |
| 2.2.2 发展状况 |
| 2.3 LCoS 显示芯片电路结构探索 |
| 2.4 小结 |
| 第3章 系统芯片(SoC)物理设计方法概述 |
| 3.1 SoC 集成技术 |
| 3.1.1 SoC 芯片特征与设计策略 |
| 3.1.2 可测性设计技术 |
| 3.1.3 SoC 的主体——微电子技术 |
| 3.2 亚微米CMOS 集成电路设计特点 |
| 3.3 互连线时延及其在版图设计中的估算 |
| 3.3.1 互连线系统及其实际布线问题 |
| 3.3.2 时钟树的时延计算方法 |
| 3.4 CMOS 芯片系统设计方法综述 |
| 3.4.1 集成电路设计方法双向性 |
| 3.4.2 逻辑综合 |
| 3.4.3 逻辑模拟 |
| 3.4.4 电路模拟 |
| 3.4.5 器件模型 |
| 3.4.6 IC 芯片版图设计方法 |
| 3.5 典型EDA 设计工具 |
| 3.5.1 Pspice 电路模拟软件简述 |
| 3.5.2 CADENCE EDA 设计工具 |
| 3.6 CMOS 工艺概述 |
| 3.6.1 MOS 器件类型 |
| 3.6.2 MOS 芯片类型 |
| 3.6.3 工艺制造中的考虑因素 |
| 3.7 小结 |
| 第4章 CMOS 数模混合集成电路设计原理 |
| 4.1 CMOS 集成电路一般特性 |
| 4.1.1 CMOS 集成电路技术 |
| 4.1.2 MOS 晶体管中的二级效应 |
| 4.1.3 COMS 工艺中的自锁效应 |
| 4.1.4 MOS 晶体管的衬偏效应 |
| 4.2 数字电路的基本单元研究 |
| 4.2.1 与非门、或非门、非门 |
| 4.2.2 三态门、传输门 |
| 4.2.3 基本锁存电路 |
| 4.2.4 D 触发器 |
| 4.2.5 数字电路功耗分析 |
| 4.3 数-模(DA)转换器研究 |
| 4.3.1 DA 转换原理分析 |
| 4.3.2 DA 转换器的主要技术指标 |
| 4.3.3 高速权电阻DA 转换器 |
| 4.3.4 低功耗权电容DA 转换器 |
| 4.3.5 其他组合式DA 转换器 |
| 4.3.6 模-数(AD)转换器 |
| 4.4 模拟电路基本单元研究 |
| 4.4.1 模拟开关 |
| 4.4.2 电容器 |
| 4.4.3 MOS 差分放大器 |
| 4.4.4 CMOS 有源负载增益级 |
| 4.4.5 CMOS 运算放大器 |
| 4.5 小结 |
| 第5章 近眼型彩色LCoS 显示器设计 |
| 5.1 彩色LCoS 显示系统结构与性能 |
| 5.1.1 彩色LCoS 显示系统结构 |
| 5.1.2 视频图像显示对LCoS 显示器的要求 |
| 5.1.3 主要显示性能指标设计 |
| 5.2 场序彩色化设计 |
| 5.2.1 彩色化模式选择分析 |
| 5.2.2 实现LCoS 显示的场序彩色化 |
| 5.2.3 时序光源色彩设计 |
| 5.3 反射式快速响应液晶工作模式设计 |
| 5.3.1 反射式液晶光学特性分析 |
| 5.3.2 液晶电光特性分析 |
| 5.3.3 液晶材料选择 |
| 5.4 LCoS 芯片低压显示模式设计 |
| 5.4.1 常规驱动液晶显示模式 |
| 5.4.2 像素单元电路电压自举现象分析 |
| 5.4.3 公共电位场反转显示模式设计 |
| 5.5 LCoS 显示芯片工作机理及其电路结构 |
| 5.5.1 器件物理结构简介 |
| 5.5.2 芯片电路结构及其工作原理 |
| 5.5.3 像素驱动电路工作方式 |
| 5.5.4 周边驱动电路工作原理 |
| 5.5.5 公共电极驱动设计 |
| 5.5.6 场序光源控制电路设计 |
| 5.6 像素边缘效应与尺寸设计 |
| 5.7 功耗分析与面积分配 |
| 5.7.1 功耗分析 |
| 5.7.2 芯片散热考虑 |
| 5.7.3 面积分配 |
| 5.8 LCoS 微显芯片光学特性分析 |
| 5.9 显示控制器 |
| 5.9.1 显示控制器结构 |
| 5.9.2 FPGA 的逻辑设计要点 |
| 5.9.3 字符叠加功能设计 |
| 5.10 光学组件 |
| 5.11 小结 |
| 第6章 投影显示用单色LCoS 显示芯片研制 |
| 6.1 单色LCoS 显示系统结构与性能 |
| 6.1.1 LCoS 投影显示统结光学结构 |
| 6.1.2 LCoS 投影显示系统电路结构 |
| 6.1.3 液晶工作模式 |
| 6.1.4 主要显示性能指标 |
| 6.2 单色LCoS 显示芯片工作模式及其电路结构 |
| 6.2.1 显示芯片电路功能系统设计 |
| 6.2.2 显示芯片工作频率与功耗分析 |
| 6.3 显示驱动矩阵设计 |
| 6.4 周边驱动器电路结构设计 |
| 6.5 LCoS 液晶盒封装尺寸设计 |
| 6.6 单色LCoS 显示芯片制作工艺考虑 |
| 6.7 单色LCoS 显示芯片及相关显示系统 |
| 6.7.1 芯片实物显微图像 |
| 6.7.2 镜面电极光学性能测试结果 |
| 6.7.3 单色LCoS 显示器 |
| 6.8 彩色显示与单色显示LCoS 显示芯片电路结构比较 |
| 6.9 LCoS 显示芯片设计技术方案 |
| 6.9.1 LCoS 显示芯片——一类新型的SoC 芯片 |
| 6.9.2 芯片电性能与成本相关性分析 |
| 6.9.3 LCoS 显示芯片设计方法选择 |
| 6.10 显示芯片制作工艺中关键技术设计 |
| 6.10.1 用n 阱CMOS 工艺制作LCoS 微显芯片 |
| 6.10.2 电容器物理结构选择 |
| 6.10.3 ESD 保护工艺考虑 |
| 6.10.4 CMP 平坦化工艺分析 |
| 6.11 小结 |
| 第7章 CADENCE 辅助设计LCoS 微显芯片 |
| 7.1 版图设计筹划 |
| 7.1.1 设计策略 |
| 7.1.2 总体设计流程 |
| 7.1.3 版图布图模式 |
| 7.1.4 最坏条件考虑 |
| 7.2 LCoS 芯片设计准备 |
| 7.2.1 建立基本混合电路设计环境 |
| 7.2.2 编写LCoS 微显芯片的工艺文件(LCoS.tf) |
| 7.3 LCoS 显示芯片设计过程 |
| 7.4 有源NMOS 显示驱动矩阵设计与模拟 |
| 7.5 时钟电路设计 |
| 7.5.1 时钟产生电路 |
| 7.5.2 时钟的驱动和分配 |
| 7.6 数字电路部分设计和模拟 |
| 7.6.1 准静态主从D 触发器 |
| 7.6.2 多节移位寄存器 |
| 7.6.3 两级锁存器 |
| 7.7 数模转换器设计 |
| 7.7.1 DA 转换器信号时序设计 |
| 7.7.2 CMOS 模拟开关 |
| 7.7.3 电容网络版图设计 |
| 7.8 功放设计和模拟 |
| 7.8.1 电压跟随器设计 |
| 7.8.2 电压跟随器性能模拟 |
| 7.9 测试电路设计 |
| 7.10 接口电路设计和模拟 |
| 7.11 LCoS 微显芯片版图布局 |
| 7.12 寄生参数提取与后仿真 |
| 7.13 小结 |
| 第8章 LCoS 显示器制造工艺概述 |
| 8.1 LCoS 微显芯片制造工艺流程设计 |
| 8.2 LCoS 液晶盒封装工艺设计 |
| 8.3 LCoS 微显芯片液晶盒测试概述 |
| 第9章 论文设计要点与思考 |
| 9.1 不连续场序光脉冲彩色模式 |
| 9.2 场序彩色LCoS 微显芯片电路设计要点 |
| 9.3 版图布局技巧 |
| 9.4 单色LCoS 显示芯片显微照片 |
| 9.5 快速液晶材料选择考虑 |
| 9.6 硅基微显芯片中的IP 设计方法探讨 |
| 9.6.1 硅基微显芯片的基本电路分析及其相应基本功能模块划分 |
| 9.6.2 用定制设计方法建立微显专用IP 模块 |
| 附录1 LCoS 微显芯片电路图(部分) |
| 附录2 LCoS 微显芯片版图 |
| 附录3 LCoS 微显芯片工艺文件 |
| 附录4 单色LCoS 显示系统研究成果图片 |
| 摘要 |
| 攻读博士期间的学术论文和科研成果 |
| 致谢 |
