刘夏[1]（2021）在《基于表面隔离沟槽结构的近红外可调谐分布反馈半导体激光器》文中研究指明可调谐分布反馈半导体激光器具有体积小、质量轻、便于携带、易集成、波长可调谐等优点,在量子通信,大数据网络,生物医疗,生物探测,激光国防等领域都作为核心光源使用。在传统的法布里-珀罗腔的半导体激光器结构基础上,引入光栅结构来形成周期性的微扰,导致对半导体激光器内部进行折射率或者增益的调制,实现输出光的模式调制。折射率和增益调制对应了折射率耦合型以及增益耦合型分布反馈（DFB）半导体激光器。折射率耦合型分布反馈半导体激光器经常需要引入相移光栅结构,并且其制备过程需要引入二次外延技术,制备器件的成本较高,且由于其结构属性,很难在激光器单管实现较宽的调谐范围。传统增益耦合型分布反馈半导体激光器通过引入周期性吸收,实现单纵模激射,但是依然依赖微纳光栅制备技术和二次外延技术,同时由于周期性吸收材料的引入,降低了器件功率和电光转换效率等重要性能参数,因而没有商用价值。本文采用I-line光刻技术,首次成功制备了激射波长在780纳米（nm）波段和905 nm波段的基于表面沟槽结构的可调谐DFB半导体激光器,实现了超宽调谐范围和单模激射,并且制作工艺相对简单,无需引入二次外延技术,能够实现大批量生产,具有极强的市场应用潜力。具体的研究内容和成果如下:（1）对半导体激光器的理论进行了阐述,用传输矩阵理论对表面隔离沟槽来实现单纵模分布反馈半导体激光器的光波导机构进行建立模型和分析,并且得出的结论对本文分布反馈半导体激光器的耦合光波导的设计进行理论支撑。（2）创新性设计并制备了激射腔长为1毫米（mm）、峰值波长在780 nm左右的基于表面隔离沟槽结构的可调谐DFB半导体激光器,器件的两侧解理面分别蒸镀了透射率为95%和5%的高透膜和高反膜,该结构的可调谐DFB半导体激光器能够实现稳定的单模激射现象和宽带可调谐现象,在室温工作状态下,当注入电流450毫安（mA）的时候,激光器的输出功率达148.2毫瓦（mW）,斜率效率0.28 mA/mW,边模抑制比最高可达36.25分贝（d B）,注入电流在90 mA至400 mA之间、工作温度在10℃至45℃的区间,调谐范围从775 nm到792.5nm,可达17.5 nm。（3）创新性设计并制备了腔长为1 mm、激射波长在905 nm附近的基于表面沟槽结构的可调谐分布反馈半导体激光器,激射阈值在100 mA附近,在室温工作状态下,未镀膜的DFB半导体激光器的单边输出功率可达145.3 mW,斜率效率0.28 mA/mW转化效率可达27%以上,未镀膜的分布反馈半导体激光器边模抑制比最高可达37 d B,激光器的3 d B线宽在23 pm左右。随着温度和电流的增大,激射波长漂移现象均匀,在15℃到25℃的温度区间内,调谐范围从从899.9nm到907.6 nm。（4）设计并制备了激射波长在905 nm附近、基于表面沟槽结构的可调谐DFB半导体激光列阵。单片集成了4个信道的表面沟槽结构的可调谐DFB半导体激光器,且腔长均为1 mm,各信道表面隔离沟槽结构不同,激射波长不同,未镀膜单信道DFB半导体激光器功率均在100 mW左右,且峰值波长红移现象稳定。边模抑制比最高可达44.25 d B。在10℃至45℃的温度区间内,阵列整体在注入电流在130 mA至400 mA之间的工作情况下,波长调谐范围可达48 nm。本文提及的可调谐DFB半导体激光器的光刻工艺均是采用I-line光刻技术和相关制备,制备工艺相对简单,制备时的工艺容差空间大,实验结果能够进行重现,工艺可控制性强,能够实现批量生产。本文设计和制备的可调谐DFB半导体激光器的性能参数指标能够满足工业应用需求,成本较为低廉、生产周期较短,在原子钟、激光雷达、光集成、空间光通信、光谱检测等领域具有了巨大的商业价值和应用前景。
王延靖[2]（2020）在《基于MOPA结构的高功率半导体脉冲激光器的研究》文中进行了进一步梳理超短脉冲激光器具有短的脉冲持续时间、高重复频率、高峰值功率等特点,在科研、工业、通讯、医学等领域有着重要的应用,对人类社会的进步有着巨大的贡献。其相关研究一直备受关注,半导体脉冲激光器因为其具有体积小、寿命长、重量轻、转换效率高、波长丰富、价格便宜等一系列优点而成为超短脉冲源的研究热点。本论文主要围绕基于主振荡器-功率放大器（MOPA）结构的半导体脉冲激光系统的高功率和超短脉冲持续时间输出这一关键科学问题,开展了外腔锥形锁模半导体激光器的谐波锁模操作、半导体光放大器中放大的自发辐射的抑制和利用双通光栅压缩器实现飞秒光脉冲输出的研究,研究内容和取得的创新性成果如下:（1）设计并制备了一种波导侧壁具有锯齿结构的外腔锥形锁模激光器。该激光器可以实现谐波锁模操作。利用软件对不同的锯齿结构的反射率进行了模拟计算,并确定了最优的锯齿结构。实验上观察到稳定的三阶谐波锁模的皮秒脉冲序列。分析了系统的工作原理,在重复频率412 MHz时,脉冲宽度3.9 ps,单脉冲能量59 pJ。（2）针对放大器中放大的自发辐射问题,提出了在波导侧壁制备锯齿结构的方法来抑制放大的自发辐射。研究了锥形半导体光放大器中不同锯齿状微结构对放大的自发辐射压缩的影响。比较了它们的发射光谱,发现直角三角形（器件A）的锯齿状微结构表现出最好的压缩效果。该结构与传统的放大器相比,最大强度与背景辐射之比较传统光放大器提高了21.9%,同时功率提高了30.5%。器件A的平均功率达799 mW,脉冲宽度6.7 ps,对应峰值功率206 W。（3）基于脉冲压缩可实现飞秒脉冲持续时间的理论,使用双通透射式光栅压缩器对MOPA系统输出的皮秒光脉冲进行压缩,获得了495 fs的光脉冲输出,其峰值功率达1.5 kW。
王延[3]（2020）在《Littrow结构近红外外腔半导体激光器的研究》文中研究表明激光器在原子物理、高分辨率光谱、相干光通讯、激光雷达等领域都有很重要的应用,这些领域均要求激光器输出光可以调谐到某一个或者多个特定波长,因此,具有优良输出特性的可调谐半导体激光器已成为不可或缺的光学器件。单片集成激光器如分布式反馈（DFB）激光器、分布式布拉格反射（DBR）激光器、垂直腔表面发射激光器（VCSEL）等都是通过温度或者电流来实现波长的可调谐,调谐范围仅有几纳米,并且不能实现连续调谐。可调谐外腔半导体激光器（ECDL）避免了上述问题,通过调谐外腔中的光学元件实现可调谐,最大连续可调谐范围可达到几十纳米,同时实现窄线宽输出。外腔半导体激光器具有结构简单、可调谐范围大、光电转换效率高、高边模抑制比（SMSR）等优点。本文制备了不同输出波段的Littrow结构的外腔半导体激光器,通过设计特殊结构的增益芯片及调谐光学元件,优化激光器的输出特性,为可调谐外腔半导体激光器更广泛的应用提供了理论基础及实验证据。具体的研究内容及实验结果如下:（1）、外延生长InGaAs/GaAs双尺寸量子点,波导结构采用渐变折射率分离限制异质结构;并制备了量子点外腔半导体激光器。该激光器可实现第一激发态激发,由于高能态具有更高的简并度,可容纳更多的电子,因此具有高输出功率。当注入电流为500 mA时,最大输出功率可达到120 mW,激光器的可调谐范围为28.9 nm（970.1999 nm）,输出波长为988.3 nm时光谱线宽可低至0.2 nm,边模抑制比为35 dB。量子点外腔半导体激光器在调谐波长为982.6 nm时阈值电流最低,最低阈值电流为2.75 kA/cm2。衍射光栅位置不变,逐渐增加电流,量子点外腔半导体激光器具有很好的波长稳定性。其中,调谐波长为995 nm时,波长的变化率约为0.7 nm/A。（2）、研究了1550 nm Littrow结构外腔半导体激光器输出特性的影响因素。首先以光束为轴旋转光栅,使光束偏振方向从垂直光栅刻线方向（强反馈）变成与光栅刻线方向成一定的角度（弱反馈）,光栅的旋转使一阶衍射效率降低,进而降低了反馈光强度,从实验中观察到:在强反馈条件下,输出光光谱具有明显的残余反馈,导致在低电流条件下输出光的边模抑制比较低,最高边模抑制比仅为47 dB;而通过偏振失配实现的弱反馈模式,可以有效的消除残余反馈现象,边模抑制比可高达54 dB。两种输出模式均可实现单纵模、宽范围可调谐。300 mA时,弱反馈模式最大调谐范围为130.9 nm,最低阈值电流为84 mA,由于光反馈强度较弱,最大输出功率为5.5 mW;强反馈模式的最大调谐范围为161.2 nm,最低阈值电流为50 mA,最大输出功率可达到49.9 mW。弱反馈模式半导体激光器光谱纯净、单模输出且具有宽可调谐的特性,可应用于有相关要求的领域。其次,研究了光栅常数变化对外腔半导体激光器性能的影响。当光栅刻线密度从600 lines/mm增加到1200 lines/mm时,激光器的边模抑制比从47 dB增加到65 dB,可调谐范围从161.2 nm增加到209.9 nm,两种激光器的线宽分别为0.07 nm及0.05 nm。实验证明,适当提高光栅刻线密度可提高外腔半导体激光器的边模抑制比及可调谐范围。由于光栅刻线密度越大,角色散越大,提高了光栅分辨率,外腔半导体激光器具有更高的边模抑制比及更宽的可调谐范围。
龚俊楷[4]（2019）在《基于光子脉冲神经网络的STDP无监督学习算法研究》文中研究说明近些年来,人工智能技术不断发展,越来越多的科学家将目光转向机器智能化的方向。神经网络在机器学习、模式识别等领域具有重要应用。基于硬件实现的神经网络是近几年来的研究热点,人们希望机器能像大脑一样思考和工作,大大提高人类生活和工作的便捷度。神经元细胞受到外界的刺激产生尖峰脉冲信号,这些尖峰脉冲信号通过突触在神经元之间进行传递,这是大脑工作的基础。因此,神经元和突触在大脑神经系统中具有非常重要的地位。突触的尖峰脉冲时间依赖可塑性（Spike Timing–Dependent Plasticity,STDP）是神经系统发育、学习和记忆的神经生物学基础。所以,为构建像大脑一样智能的机器,有效实现神经元和突触电路是非常关键的。可是,由于缺乏合适的器件来模拟实现神经元和突触,因此对这个领域的研究成果非常有限。但是,像大脑一样的智能化机器需要更有效、更小的器件来实现它的最终目标。光子神经形态系统能以比生物大脑快几百万至十亿倍的运行速度模拟神经形态算法,是其他神经形态硬件系统无法比拟的,并可胜任比传统数字或模拟光计算更复杂的计算任务,如自适应控制、学习与记忆和感觉信息处理等。神经形态计算所特有的适应性、容错性和脉冲信号机制,能够避免传统数字光计算的芯片集成及模拟光计算的噪声积累等制约光计算发展的瓶颈问题。而光子尖峰脉冲神经网络不但具有与大脑更相似的工作机制,也能将光子计算的低功耗、高带宽等优点结合起来。总结来说,光子神经形态系统具有速度快、低耗能、高带宽等优势,具有重要的研究意义。本文通过研究将具有饱和吸收区的垂直腔面发射半导体激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser with a Saturable Absorber,VCSEL-SA）作为光子神经元,首次提出将垂直腔面半导体光放大器（Vertical-Cavity Semiconductor Optical Amplifier,VCSOA）作为关键器件模拟实现具有STDP机制的光子突触,搭建起一套通用的光子脉冲神经网络模型,并通过利用MATLAB仿真软件实现了基于光子脉冲神经网络的STDP无监督学习算法,突触后神经元成功识别了突触前神经元发放的第一个尖峰脉冲。其中,详细研究了基于VCSEL-SA实现的尖峰脉冲编码,基于VCSOA实现的STDP,以及光子脉冲神经网络的学习特性。这些结果是非常有趣且有价值的,能为超快光子神经形态系统的光子信息处理领域提供理论依据和指导。
梁林俊[5]（2018）在《新型结构的波长可调谐激光器及其运用的研究》文中指出连续波波长可调谐激光器（以下简称“可调谐激光器”）在光通信波分复用系统、灵活光交换网络、激光传感等领域都有着重要运用和广阔前景。当今,这些运用场景的新发展对具有更高性能且更低成本的可调谐激光器有强烈的需求。对此,本文分别针对采用硅基异质集成工艺制造的微环谐振腔外腔激光器和采用光纤工艺制造的基于多模干涉滤波结构的激光器的结构优化、参量设计及其运用,进行了一系列理论及实验研究。该工作提升了这两类可调谐激光器的部分关键性能指标,并且研究了新型激光器在实际运用中的效果。本文成果概括如下:1、提出并建立了基于微环谐振腔外腔结构的可调谐激光器的传输线分析模型,并用于进行此类激光器的结构优化和设计参数选择,该模拟模型与器件的实验效果基本相符。首先,系统性地梳理和归纳了半导体激光器相位噪声理论以及降低线宽的方法,深入研究了低损耗的硅基微环谐振腔运用于半导体激光器外腔时有利于的降低激光器线宽的原理机制和可调谐激光器设计要点;其次,建立并实验验证了此类激光器的传输线模型,利用该模型可以推算激光器的主要工作特性,方便进行激光器结构优化和设计参数选择。2、通过理论和实验深入对比分析了不同微环谐振腔外腔结构激光器设计方案的性能特征,并提出了选用方法推荐;分别研究优化了采用“非平衡马赫曾德尔干涉”的辅助结构和“并联三微环”结构的外腔设计的激光器设计,实现了激光的边摸抑制比的提高和激光线宽特性的提升。首先,理论上对比研究了基于“上下话路”和“耦合环”结构的几种微环谐振腔外腔激光器;随后,对完成制造的激光器进行了深入详尽的实验研究和数据分析,实验中令这几种不同结构的激光器可实现在光通信用C+L波段范围内波长调谐范围在20nm量级到40nm量级之间,3dB线宽在150kHzd到280kHz范围之间,激光边模抑制比在40dB以上。最后,总结归纳出这几种不同结构设计激光器的性能特征的差异、优缺点和适用范围。为进一步提升微环谐振腔外腔激光器性能的研究积累了设计和实验经验。3、研究了微环谐振腔外腔结构的激光器运用于高频微波发生器和微波跟踪发生器芯片时实现波长连续调谐的办法;实验实现了这两种微波发生芯片的演示效果,完成其性能分析。其中,微波跟踪发生器可同时产生两路频率间隔为特定值的微波,该两路微波的频率间隔设定值可以在0.01GHz到近10GHz范围内进行任意设置。最后,根据对实验效果进行分析,提出了完善微波发生器集成芯片性能的办法和建议。4、提出并实验制造了一种可用于传感的,基于锥型无芯光纤多模干涉结构的全光纤可调谐激光器,并应用于折射率和温度测量实验。该工作包括:采用对无芯光纤拉锥处理的办法,提升了由单模-无芯-单模光纤组成的多模干涉滤波结构的传输光谱特性对环境的敏感度,通过理论设计和实验研究使得多模干涉结构适用于作为掺铒光纤波长可调谐激光器的滤波器;随后,把该可调谐激光器运用于全光纤结构的环境传感系统中,该激光输出可以在工作范围内具有40dB以上的边模抑制比,该传感系统折射率测量敏感度为164.75nm/RIU,温度测量敏感度为10.4pm/℃。
孙成林,田振华,贾丽华,曹军胜,秦莉,郜峰利,宁永强,王立军[6]（2011）在《970nm反射式垂直腔半导体光放大器的设计与制作》文中研究指明设计并制作了970nm反射式垂直腔半导体光放大器（VCSOA）,基于放大器结构,对放大器的噪声特性、增益和带宽特性进行了实验研究和理论分析。研究了反射式放大器的增益与垂直腔半导体激光器出光口径的关系,发现增益随着出光口径的增大而增大。对于970nm的信号光,经过出光口径为400μm的VCSOA后,最高获得了26dB的增益放大,带宽为25GHz。理论计算的过剩噪声系数和实验值之间有较好的符合关系,当底面和顶面的反射率分别为0.99和0.98时,放大器的噪声因子为6.6。
孙成林,梁雪梅,秦莉,贾丽华,宁永强,王立军[7]（2010）在《宽面积垂直腔半导体光放大器》文中研究表明在反射模式下,对于970nm宽面积垂直腔半导体光放大器（VCSOA）的增益和带宽特性进行了实验研究和分析。当注入电流为57%阈值电流、信号输入功率为0.7W,取得了24.8dB的放大,测得的放大器的带宽为0.14nm。实验中测量的增益值大于理论计算值,这是由于宽面积垂直腔光放大器内存在多个横向模式,每个模式都有相应的放大,所以总的增益大于理论计算的某个模式的增益。这种宽面积垂直腔光放大器不仅可以提高增益,而且还能提高信号光的饱和输入功率。对970nm宽面积VCSOA的结构进行了优化设计,模拟结果表明,要提高半导体激光器的增益和带宽,可以通过适当降低垂直腔面发射激光器的上DBR的反射率来获得。
梁雪梅[8]（2010）在《大功率半导体激光器结构研究》文中研究说明大功率半导体激光器在军事、工业和医疗等应用领域中是至关重要的,所以大量的工作已经投入到的大功率半导体激光器的结构设计和性能优化研究当中,以便使器件可以尽量满足高光束质量、高效率、低损耗、高可靠性和小体积等各项条件。本论文所研究的大功率半导体激光器结构主要包括光抽运垂直外腔面发射激光器、边发射二极管激光器、垂直腔面发射激光器和垂直腔光放大器。具体研究内容如下:1)介绍了的LASTIP和PICS3D软件的理论基础,计算模型和模拟技巧。讨论了导致计算终止不收敛现象产生的原因,并提出了相应的解决办法,提高了计算模拟的效率和成功率。2)应用PICS3D软件,分析了920nm光抽运垂直外腔面发射激光器结构参数,在国内首次设计出920nm光抽运半导体垂直外腔面发射激光器3QWs结构,使主模式振荡由1QW时的18.57dB显着提高了62.24dB;并在结构中引入非吸收层,抑制了载流子的热溢出,进一步降低内部损耗,提高转换效率。这对于器件结构的优化和性能的提高有重要的指导意义。3)针对808 nm边发射二极管激光器的温度敏感性,利用LASTIP软件计算了不同结构器件的特征温度,并进行了实验测试。当单量子阱的厚度不变时,波导层越厚,光传播的路程越长,光增益和内部损耗都会不同程度的增加,阈值电流和特征温度都会随之呈现非线性的变化。波导层厚度与特征温度这种非线性的关系,对于器件的优化,特别是高特征温度器件的结构设计意义重大。4)使用PICS3D软件计算了980nm垂直腔面发射激光器的特征温度。通过实验分析了当温度发生变化时,器件特性所发生的改变。当980nm VCSEL在某一温度附近工作时,阈值电流最小,功率较高,转换效率最高,波长温漂最小,光谱半宽最小,这就是器件实际的特征温度,实验结果很好的验证了理论计算结果。这为控制实验温度条件从而获得大功率输出,提供了理论依据。5)对于反射式的970 nm宽面积垂直腔半导体光放大器的增益和带宽特性进行了实验研究和分析。当注入电流为57%阈值电流、信号输入功率为0.7 W,取得了24.8 dB的放大,测得的放大器的带宽为0.14 nm即25 GHz。这种宽面积垂直腔光放大器不仅可以提高增益,而且还能提高信号光的饱和输入功率。相关的实验研究,国内未见报道。增益和带宽之间是相互制约的,为了获得大的带宽,需要适当降低增益。将目前的99.3%的反射率降低到93%时,增益为16.3 dB,带宽为80 GHz。对顶部DBR的反射率进行优化,可以获得高的增益带宽积。
王刚[9]（2007）在《垂直腔半导体光放大器理论研究》文中指出垂直腔半导体光放大器（VCSOA）作为一种新型的光放大器有着许多传统边发式半导体光放大器（SOA）以及掺铒光纤放大器（EDFA）都无法比拟的优点，在众多光纤通信领域都有着潜在的应用前景。到目前为止关于VCSOA的理论和实验方面的研究已经取得了一系列成果，本文的工作是建立在已有的研究成果基础上，围绕着VCSOA的稳态增益、光学带宽、调制响应、光脉冲放大以及小信号频率响应等工作特性而展开，具体内容包括：针对现有VCSOA的理论研究模型多采用等效腔的现状，基于VCSOA由多层介质交替生长的结构特点，将其视为一个整体，构建其传输矩阵模型。该模型考虑了谐振腔内介质折射率的不连续性和有源区内载流子浓度和光强的纵向分布。使用该模型不再需要对分布布拉格反射镜（DBR）的反射率、有效腔长度、增益增强因子以及输入信号注入耦合效率等参数分别计算，方便了理论上的讨论。在稳态工作条件下，利用这个传输矩阵模型研究了VCSOA在反射模式的输入光功率对腔内载流子浓度分布的影响、光学带宽、以及增益饱和等特性。结果表明，输入光功率的大小直接影响腔内载流子密度纵向空间分布的均匀性，在小信号光情况下可以使用载流子分布均匀的假设，而当输入光功率接近饱和区时载流子的空间分布很不均匀；顶部DBR的周期数对VCSOA的光学带宽和输入饱和功率有很大影响，适当减少其周期可以拓宽VCSOA的工作带宽，改善VCSOA的增益饱和特性；一定范围内输入光功率对VCSOA的带宽特性也有比较大的影响；在传输矩阵模型中必须考虑腔内不同介质间界面上的光反射和折射对模型才能够真实反映周期增益结构中的驻波效应。将传输矩阵模型扩展到动态工作范围，数值模拟了反射工作模式下，VCSOA在短脉冲通过后发生的时域波形畸变、有源区内载流子密度和增益在脉冲放大过程中的变化以及脉冲放大的能量增益等VCSOA的脉冲工作特性。结果表明：随着脉冲的注入，因受激辐射增强而引起的增益饱和效应使得输出光脉冲的时域波形发生畸变；抽运光功率、DBR周期数以及输入脉冲能量都对脉冲放大的能量增益有一定影响；在同样偏置条件下减小DBR周期数可以改善脉冲放大中的能量增益饱和特性。另外，在输入脉冲宽度远小于载流子寿命时脉宽对VCSOA的能量增益饱和特性几乎没有影响，而在DBR周期一定时抽运光功率的增大会导致能量增益饱和特性的劣化。从VCSOA的速率方程组出发，考虑了量子阱材料中的增益和载流子浓度之间的对数关系后，借助小信号分析法，对VCSOA的调制特性和小信号频率响应特性进行了研究，得到了VCSOA的调制带宽、小信号峰值响应频率和3dB小信号频率响应带宽的解析表达式。结果表明，提高输入信号功率或抽运光强度可以增大VCSOAs的调制带宽；在VCSOAs的未饱和区时调制带宽随自发辐射的增强而有所增大：当输入光功率增大到饱和区时，VCSOAs的调制带宽可以达到1.8GHz，这与文献报导的实验数据符合较好；提高抽运光功率或减小输入光功率能提高VCSOA的峰值响应频率，但同时缩小其动态响应频率范围；自发辐射的增强也会扩展其3dB频率响应带宽。本文的理论模型和相关结论对于分析VCSOA的性能、优化其设计方案具有一定的参考作用。
贾习坤,罗斌,潘炜,姚海峰,曹昌胜[10]（2005）在《传输矩阵法研究垂直腔半导体光放大器增益特性》文中指出利用传输矩阵法研究垂直腔半导体光放大器（VCSOAs）的增益及其带宽特性。研究了不同载流子浓度、DBR膜层数对增益特性的影响,发现了有源区内量子阱堆位置的改变将导致增益峰值波长移动。数值计算结果与实验结果相吻合。
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 半导体激光器研究进展 |
| 1.1.1 高功率半导体激光器 |
| 1.1.2 高效率半导体激光器 |
| 1.1.3 窄线宽半导体激光器 |
| 1.2 可调谐半导体激光器的几种解决方案 |
| 1.2.1 可调谐分布反馈半导体激光器 |
| 1.2.2 可调谐分布布拉格反射镜半导体激光器 |
| 1.2.3 可调谐V型腔半导体激光器 |
| 1.2.4 可调谐面发射垂直腔半导体激光器 |
| 1.2.5 可调谐外腔半导体激光器 |
| 1.2.6 可调谐半导体激光器各方案的讨论 |
| 1.3 近红外可调谐分布反馈半导体激光器的研究进展 |
| 1.3.1 国外研究进展 |
| 1.3.2 国内研究进展 |
| 1.3.3 现有的可调谐分布反馈半导体激光器的挑战 |
| 1.4 本文的研究目的与内容 |
| 第2章 基于表面隔离沟槽结构的分布反馈半导体激光器理论分析 |
| 2.1 半导体激光器基本原理 |
| 2.1.1 能带理论与跃迁辐射 |
| 2.1.2 半导体激光器速率方程 |
| 2.1.3 半导体激光器激射条件 |
| 2.2 半导体激光器特性 |
| 2.2.1 半导体激光器的功率特性 |
| 2.2.2 半导体激光器转化效率 |
| 2.2.3 半导体激光器的波动方程及模式特征 |
| 2.2.4 半导体激光器的线宽特征 |
| 2.3 分布反馈半导体激光器理论模型 |
| 2.3.1 耦合波理论 |
| 2.3.2 散射矩阵与传输矩阵理论 |
| 2.3.3 基于表面隔离沟槽结构的分布反馈半导体激光器理论模型 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 基于表面隔离沟槽结构的分布反馈半导体激光器的制备 |
| 3.1 金属有机化学气相沉积外延生长技术 |
| 3.2 介质薄膜生长 |
| 3.3 光刻 |
| 3.4 干法刻蚀 |
| 3.5 磁控溅射制备电极 |
| 3.6 腔面薄膜生长技术 |
| 3.7 基于表面隔离沟槽结构的分布反馈半导体激光器的制备 |
| 3.8 本章小结 |
| 第4章 780nm基于表面隔离沟槽结构可调谐分布反馈半导体激光器 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 器件的设计与制备 |
| 4.2.1 器件设计 |
| 4.2.2 器件制备 |
| 4.3 测试结果与分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 905nm基于表面隔离沟槽结构可调谐分布反馈半导体激光器 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 905nm可调谐分布反馈半导体激光器单管 |
| 5.2.1 器件结构与设计 |
| 5.2.2 制备流程 |
| 5.2.3 测试结果与分析 |
| 5.3 905nm基于表面隔离沟槽结构的可调谐分布反馈激光列阵 |
| 5.3.1 引言 |
| 5.3.2 器件结构与制备过程 |
| 5.3.3 测试结果与分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 选题意义 |
| 6.2 结论 |
| 6.3 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.2 半导体超短脉冲激光器研究的发展与现状 |
| 1.2.1 404nm-410nm波段半导体脉冲激光器 |
| 1.2.2 800-1100nm波段半导体脉冲激光器 |
| 1.2.3 1.1-1.3mm波段半导体脉冲激光器 |
| 1.2.4 1.55μm波段半导体脉冲激光器 |
| 1.2.5 2mm波段半导体脉冲激光器 |
| 1.3 本论文的选题依据和研究内容 |
| 第二章 半导体脉冲激光器的理论基础 |
| 2.1 高功率MOPA系统 |
| 2.2 锁模技术基本原理 |
| 2.2.1 锁模方式 |
| 2.2.2 半导体被动锁模技术的基本原理 |
| 2.2.3 锁模脉冲的性能参数 |
| 2.3 半导体光放大器理论 |
| 2.3.1 光放大原理 |
| 2.3.2 半导体光放大器系统方程 |
| 2.3.3 材料增益系数 |
| 2.3.4 自发辐射因子 |
| 2.3.5 SOA的简化解析解 |
| 2.3.6 倾斜腔结构 |
| 2.3.7 放大自发辐射(ASE) |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 半导体脉冲激光器及放大器制备工艺 |
| 3.1 外延生长 |
| 3.2 光刻 |
| 3.3 刻蚀技术 |
| 3.4 薄膜生长 |
| 3.5 Lift-off去金工艺 |
| 3.6 两段式半导体被动锁模激光器制备流程 |
| 3.7 放大器制备流程 |
| 3.8 本章小结 |
| 第四章 谐波锁模半导体激光器研究 |
| 4.1 背景介绍 |
| 4.2 外腔谐波锁模半导体激光器的设计与制备 |
| 4.2.1 结构设计 |
| 4.2.2 工艺制备 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于锯齿结构的MOPA放大系统研究 |
| 5.1 背景介绍 |
| 5.2 MOPA结构设计 |
| 5.3 锁模种子激光器 |
| 5.4 放大器 |
| 5.5 本章总结 |
| 第六章 基于MOPA结构的半导体脉冲系统的脉宽压缩研究 |
| 6.1 背景介绍 |
| 6.2 色散补偿理论 |
| 6.3 双通光栅压缩器 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 可调谐外腔半导体激光器研究意义及背景 |
| 1.2 可调谐半导体激光器分类及应用 |
| 1.2.1 DFB型和DBR型可调谐激光器 |
| 1.2.2 可调谐垂直腔表面发射激光器 |
| 1.2.3 可调谐外腔半导体激光器 |
| 1.2.4 可调谐半导体激光器对比分析 |
| 1.2.5 可调谐外腔半导体激光器的主要应用 |
| 1.3 外腔半导体激光器的研究进展 |
| 1.3.1 量子阱结构外腔半导体激光器的研究进展 |
| 1.3.2 量子点结构外腔半导体激光器的研究进展 |
| 1.4 本论文的研究目的与研究工作 |
| 第2章 可调谐外腔半导体激光器基本原理 |
| 2.1 外腔半导体激光器的线宽 |
| 2.2 外腔半导体激光器的阈值电流 |
| 2.3 腔面镀AR膜对外腔半导体激光器性能的影响 |
| 2.3.1 对P-I曲线的影响 |
| 2.3.2 对可调谐范围的影响 |
| 2.4 转动轴位置对外腔半导体激光器的影响 |
| 2.4.1 Littrow结构外腔半导体激光器 |
| 2.4.2 Littman结构外腔半导体激光器 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 半导体增益芯片的MOCVD外延制备及结构表征方法 |
| 3.1 MOCVD(AIXTRON200-4)外延系统介绍 |
| 3.2 外延片的表征技术 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜(SEM) |
| 3.2.2 光致发光(PL)测试 |
| 3.2.3 X射线衍射(XRD) |
| 3.3 双尺寸分布InGaAs/GaAs量子点外延结构的生长工艺 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 Littrow结构双尺寸量子点外腔半导体激光器 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 量子点增益芯片的结构及测试结果分析 |
| 4.3 量子点外腔半导体激光器及其测试结果 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 Littrow结构量子阱外腔半导体激光器 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 外腔半导体激光器的结构与原理 |
| 5.3 强、弱光反馈对外腔半导体激光器特性的影响 |
| 5.4 光栅刻线密度对外腔半导体激光器的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 附录 英文缩略词列表 |
| 表I 专业术语的英文缩略词列表 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 电子脉冲神经网络 |
| 1.2.2 脉冲神经网络算法 |
| 1.2.3 光子脉冲神经网络 |
| 1.2.4 光子神经元 |
| 1.2.5 光子突触 |
| 1.3 论文研究内容 |
| 1.3.1 研究目标 |
| 1.3.2 研究内容 |
| 1.4 论文章节安排 |
| 第二章 生物神经元和生物突触 |
| 2.1 生物神经元 |
| 2.2 生物突触 |
| 2.3 STDP理论模型 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 基于VCSEL-SA的光子神经元 |
| 3.1 VCSEL-SA的 Yamada模型 |
| 3.1.1 VCSEL-SA的结构 |
| 3.1.2 VCSEL-SA的速率方程模型 |
| 3.1.3 外光注入的VCSEL-SA模型 |
| 3.2 基于VCSEL-SA的编码 |
| 3.2.1 基于VCSEL-SA的频率编码 |
| 3.2.2 基于VCSEL-SA的时间编码 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 基于光放大器的光子突触 |
| 4.1 交叉增益调制技术 |
| 4.2 光子STDP的实现机制 |
| 4.3 基于SOA的光子STDP |
| 4.3.1 SOA模型方程 |
| 4.3.2 基于SOA的 STDP |
| 4.4 基于VCSOA的光子STDP |
| 4.4.1 VCSOA模型结构 |
| 4.4.2 FP模型方程 |
| 4.4.3 速率模型方程 |
| 4.4.4 基于VCSOA的光子STDP实现机制 |
| 4.5 性能分析及参数影响 |
| 4.5.1 单个输入功率和初始波长失谐对VCSOA增益的影响 |
| 4.5.2 不同输入功率对载流子密度的影响 |
| 4.5.3 偏置电流和初始波长失谐对STDP曲线的影响 |
| 4.5.4 信号光束输入功率对STDP曲线的影响 |
| 4.5.5 控制光束输入功率对STDP曲线的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 基于VCSELs和 VCSOAs实现STDP的光子脉冲神经网络无监督脉冲模式识别算法 |
| 5.1 脉冲神经网络 |
| 5.1.1 脉冲神经网络概述 |
| 5.1.2 光子脉冲神经网络的设计 |
| 5.2 脉冲模式识别算法 |
| 5.2.1 学习算法的基本原理 |
| 5.2.2 典型的学习过程分析 |
| 5.3 性能分析及参数的影响 |
| 5.3.1 随机神经元不同发射时间范围的影响 |
| 5.3.2 多个任意时刻的尖峰脉冲识别任务性能分析 |
| 5.3.3 不同VCSOA偏置电流的影响 |
| 5.3.4 外部噪声的影响 |
| 5.3.5 不同突触前神经元个数的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.1.1 新时代对光通信网发展的突出需求 |
| 1.1.2 全光网建设新热潮和攻关工作 |
| 1.1.3 光电子器件亟待新突破 |
| 1.1.4 波长可调谐激光器热度持续 |
| 1.2 半导体和全光纤波长可调谐激光器研究新进展 |
| 1.2.1 外腔式半导体可调谐激光器 |
| 1.2.2 垂直腔面发射半导体可调谐激光器 |
| 1.2.3 集成型半导体可调谐激光器 |
| 1.2.4 可调谐光纤激光器 |
| 1.3 基于硅基异质集成的半导体可调谐激光器的研究现状 |
| 1.3.1 硅基异质集成技术平台 |
| 1.3.2 该平台上的可调谐激光器特征和研究现状 |
| 1.4 全光纤结构的波长可调谐激光器在光传感上运用研究现状 |
| 1.5 本论文内容安排与主要成果 |
| 1.5.1 撰写框架说明和内容安排 |
| 1.5.2 本论文取得的主要成果总结 |
| 2 可调谐激光器的几种滤波器的分析理论 |
| 2.1 微环谐振腔滤波器 |
| 2.1.1 微环谐振腔简介 |
| 2.1.2 微环谐振腔的基本分析方法 |
| 2.1.3 上下话路结构微环谐振腔 |
| 2.1.4 微环谐振腔的主要光谱特性描述 |
| 2.1.5 耦合环结构微环谐振腔 |
| 2.2 宽带可调谐半导体激光器的调节机制 |
| 2.2.1 游标效应简介 |
| 2.2.2 激光器单纵模激射条件 |
| 2.2.3 基于热光效应的波长调谐 |
| 2.3 多模干涉型滤波器 |
| 2.3.1 多模干涉效应分析理论 |
| 2.3.2 多模干涉结构的波长调谐特性 |
| 2.4 小结 |
| 3 窄线宽、波长可宽带调谐半导体激光器的优化设计 |
| 3.1 半导体激光器的相位噪声 |
| 3.1.1 激光器线宽理论研究的梳理 |
| 3.1.2 半导体激光器的线宽理论 |
| 3.2 降低半导体激光器线宽的方法 |
| 3.2.1 外腔半导体激光器 |
| 3.2.2 基于硅基异质集成平台的窄线宽外腔半导体激光器 |
| 3.3 基于微环谐振腔结构的可调谐激光器设计方法及其验证 |
| 3.3.1 基于微环谐振腔结构的外腔的基本特征 |
| 3.3.2 激光器的传输线分析模型 |
| 3.3.3 窄线宽微环谐振腔外腔可调谐激光器的设计方法总结 |
| 3.3.4 理论模型的实验验证、器件特性表征和优化设计 |
| 3.4 小结 |
| 4 几种微环谐振腔外腔激光器的设计、对比和实验 |
| 4.1 基于“上下话路”微环谐振腔的几种不同设计激光器对比研究 |
| 4.1.1 基本特性比较 |
| 4.1.2 滤波器稳定性比较 |
| 4.1.3 一个改进的结构设计 |
| 4.2 基于耦合环微环谐振腔外腔结构的激光器设计 |
| 4.2.1 单端耦合环结构激光器 |
| 4.2.2 双端耦合环结构激光器 |
| 4.3 几种不同结构的激光器的特性表征和对比讨论 |
| 4.3.1 器件制造与设计参数 |
| 4.3.2 Vernier Racetrack激光器实验结果 |
| 4.3.3 CRR 1X激光器实验结果 |
| 4.3.4 CRR 2X激光器实验结果 |
| 4.3.5 实验结果分析讨论 |
| 4.3.6 综合对比结论和启示 |
| 4.4 微环谐振腔外腔激光器的结构优化及其结果 |
| 4.4.1 基于非平衡马赫曾德尔干涉结构的微环谐振腔外腔激光器 |
| 4.4.2 基于“并联三微环”结构的微环谐振腔外腔激光器 |
| 4.5 本章激光器研究工作与同类研究工作的对比 |
| 4.6 小结 |
| 5 可调谐激光器在硅基异质集成的微波发生器中的运用 |
| 5.1 引言 |
| 5.1.1 研究背景 |
| 5.1.2 采用光外差拍频法产生微波的原理 |
| 5.1.3 基于硅基异质集成光路微波发生系统的组成 |
| 5.2 单片集成的微波生成系统 |
| 5.2.1 系统设计 |
| 5.2.2 微环谐振腔外腔激光器实现波长可连续调谐的设计讨论 |
| 5.2.3 实验结果 |
| 5.2.4 分析和讨论 |
| 5.3 单片集成的跟踪发生器系统 |
| 5.3.1 单片集成的跟踪发生器系统设计 |
| 5.3.2 实验结果 |
| 5.3.3 分析和讨论 |
| 5.4 小结 |
| 6 可调谐光纤激光器在传感中的运用 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 锥型光纤多模干涉结构设计 |
| 6.3 锥型光纤多模干涉结构滤波器的制作 |
| 6.4 可调谐光纤激光器运用于折射率和温度测量 |
| 6.4.1 折射率传感实验 |
| 6.4.2 温度传感实验 |
| 6.4.3 结果分析和讨论 |
| 6.5 小结 |
| 7 总结与未来工作展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 下一步拟进行工作 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
| 1 引 言 |
| 2 反射式VCSOA的器件结构和制作过程 |
| 3 结果与讨论 |
| 4 噪声特性分析 |
| 5 结 论 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 大功率半导体激光器结构研究的意义及相关领域的研究现状 |
| 1.1.1 大功率光抽运垂直外腔面发射半导体激光器 |
| 1.1.2 大功率半导体激光器的热问题 |
| 1.1.3 垂直腔半导体光放大器(VCSOA) |
| 1.2 Crosslight 系列软件 |
| 1.2.1 LASTIP |
| 1.2.2 PIC53D |
| 1.3 论文的主要研究内容和论文结构安排 |
| 1.3.1 论文的主要研究内容 |
| 1.3.2 论文的结构安排 |
| 第2章 大功率半导体激光器结构研究方法 |
| 2.1 基础物理模型介绍 |
| 2.1.1 漂移扩散方程 |
| 2.1.2 量子阱模型 |
| 2.1.3 光波导模型 |
| 2.1.4 半导体中的热效应 |
| 2.1.5 交流分析 |
| 2.2 LASTIP 具体模型 |
| 2.2.1 受激发射和速率方程 |
| 2.3 PIC53D 具体模型 |
| 2.3.1 柱坐标系和半导体方程式 |
| 2.3.2 VCSEL 中的纵模 |
| 2.3.3 横模：光纤类EIM |
| 2.3.4 PIC53D 中各种模拟程序模块 |
| 2.4 计算模拟模型 |
| 2.4.1 计算模拟的核心工作流程 |
| 2.4.2 创建网格 |
| 2.4.3 设置核心计算模拟程序 |
| 2.4.4 计算预处理 |
| 2.4.5 求解基本方程 |
| 2.4.6 输出数据分类 |
| 2.4.7 分析结果 |
| 2.5 收敛问题 |
| 2.5.1 电压和电流偏压的选择 |
| 2.5.2 物理学边界条件 |
| 2.5.3 粗糙的网格 |
| 2.5.4 基本变量的使用 |
| 2.5.5 起始解的猜测 |
| 2.5.6 电流阻挡层的收敛问题 |
| 2.5.7 辅助型欧姆接触的使用 |
| 2.5.8 禁带宽度减小技术 |
| 2.5.9 负微分迁移率问题 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 920nm 垂直外腔面发射激光器 |
| 3.1 器件原理结构 |
| 3.1.1 工作原理 |
| 3.1.2 外延片结构 |
| 3.2 重要参数理论分析 |
| 3.2.1 单个谐振周期内的量子阱个数 |
| 3.2.2 量子阱深度 |
| 3.2.3 势垒宽度 |
| 3.2.4 非吸收层组分 |
| 3.2.5 非吸收层尺寸 |
| 3.2.6 外腔镜反射率 |
| 3.2.7 量子阱周期数 |
| 3.3 计算结果讨论和器件优化 |
| 3.3.1 计算结果讨论 |
| 3.3.2 器件优化 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 大功率半导体激光器温度特性研究 |
| 4.1 808nm 边发射二极管激光器特征温度 |
| 4.1.1 器件原理结构 |
| 4.1.2 理论计算结果 |
| 4.1.3 实验结果与讨论 |
| 4.1.4 结论 |
| 4.2 980nm 垂直腔面发射激光器温度特性 |
| 4.2.1 器件原理结构 |
| 4.2.2 理论计算结果 |
| 4.2.3 实验结果与讨论 |
| 4.2.4 结论 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 970nm 垂直腔半导体光放大器 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 VCSOA 的优点及应用 |
| 5.3 器件结构和制作过程 |
| 5.4 实验结果讨论 |
| 5.5 VCSOA 结构优化设计 |
| 5.6 结论 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 本论文主要创新点 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 在学期间学术成果情况 |
| 指导教师及作者简介 |
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 VCSOA的历史回顾 |
| 1.3 VCSOA的研究现状 |
| 1.4 本文的主要工作和结论 |
| 第2章 VCSOA稳态传输矩阵模型的建立 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 VCSOA的结构分析和相关光学理论 |
| 2.3 VCSOA传输矩阵模型的构建 |
| 2.3.1 模型建立 |
| 2.3.2 模型的数值求解方法 |
| 2.4 小节 |
| 第3章 VCSOA稳态特性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 数值计算结果与讨论 |
| 3.2.1 输入光功率、抽运强度以及DBR周期数对腔内光场和载流子密度空间分布的影响 |
| 3.2.2 稳态情况下VCSOA的增益和饱和特性 |
| 3.2.3 理论模型在描述周期增益结构的驻波效应时的合理性 |
| 3.3 小结 |
| 第4章 VCSOA光学带宽特性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 数值计算结果与讨论 |
| 4.2.1 抽运光功率、DBR周期数对VCSOA光学带宽的影响 |
| 4.2.2 大信号光输入情况下信号光功率对光学带宽的影响 |
| 4.3 小结 |
| 第5章 VCSOA动态增益及脉冲放大特性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 动态传输矩阵模型的建立 |
| 5.3 数值结果与讨论 |
| 5.3.1 脉冲放大时输出波形的畸变 |
| 5.3.2 脉冲放大时器件参数和工作条件对能量增益的影响 |
| 5.3.3 VCSOA脉冲放大能量增益饱和特性 |
| 5.3.4 VCSOA动态增益恢复时间特性 |
| 5.4 小结 |
| 第6章 VCSOA调制/开关特性的研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 小信号分析VCSOA小信号调制响应带宽表达式的推导 |
| 6.3 VCSOA动态开关响应时间解析表达式的推导 |
| 6.4 结果与讨论 |
| 6.5 小结 |
| 第7章 小信号扰动作用下VCSOA频率响应特性的研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 VCSOA小信号频率响应带宽和峰值响应频率解析式的推导 |
| 7.3 结果与讨论 |
| 7.4 小结 |
| 结论与展望 |
| 1 本文的主要结论 |
| 2 今后工作的展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及科研成果 |
| 引 言 |
| 1 理论模型 |
| 1.1 垂直腔半导体光放大器 (VCSOAs) 的基本结构 |
| 1.2 传输矩阵的建立 |
| 2 数值分析及讨论 |
| 3 结 论 |
