刘婷,金悦,史庆飞[1]（2019）在《EN 62368-1（音视频、信息技术和通信技术设备:安全要求）的绝缘距离要求》文中研究指明该文介绍EN 62368-1:2014标准在绝缘方面的要求,重点论述了标准对交流电网、直流电网以及外部电路的电气间隙和爬电距离要求,及和EN 60950-1、EN 60065标准的差异对比,为该领域内的相关技术人员提供一些应用理解和技术参考。
皮林林[2]（2019）在《智能空气净化器控制系统设计与实现》文中指出工业社会的快速发展,导致了严峻的空气污染问题。物联网技术的创新与进步,使得万物互联已经初现雏形。在改善空气质量的同时实现控制器智能化是时代控制技术的设计方向。现阶段的空气净化器控制系统智能化水平较低,无法实现智能硬件数据共享。因此本课题将设计一款稳定可靠的智能空气净化器控制系统,通过结合现阶段的物联网技术,实现智能控制器、云服务器和移动客户端之间的数据传输以及运行状态的实时监测和控制。整个控制系统在改善空气质量的同时,实现智能控制器之间的数据共享。本设计运用的云服务器技术是一种简单、高效的数据存储技术,相对于传统的物理存储技术,可以极大程度的扩展存储空间,实现数据交互式管理。安全稳定的云服务器技术可以最大程度降低研发成本。物联网技术是利用传感器感应设备,结合特定的数据协议格式实现数据的传送,最终实现对于场景的监控,实现不同智能控制器之间的数据沟通。空气净化技术是通过负离子、臭氧和高效空气过滤器（High Efficiency Particulate Air filter,简称HEPA）滤网等不同的方式实现空气净化。移动客户端技术是实现人机交互体验的接口,通过移动客户端在任意地方实现对于智能控制器的远距离控制,移动客户端还可以结合云平台技术和WIFI组网实现控制器数据反馈,实现数据价值。此论文根据净化器控制系统的相关标准进行前期市场调研,结合上述技术,对空气净化器控制系统的功能、技术、用户体验等方面的进行系统全面的研究和设计。本论文通过前期市场调研,增添被动红外探测器（Passive Infra Red,简称PIR）模组,电量检测模组和漏电流检测模组增强控制器功能。后期完成了原理图设计,印制电路板设计（Printed Circuit Board,简称PCB）,程序设计和测试。测试结果表明智能空气净化器控制系统能够控制和运行稳定,达到一定的空气净化效果,实现硬件智能化。
江晓红,吴意囡,李剑科,吕良勇[3]（2018）在《中美智能坐便器的电气安全标准比对》文中研究指明本文介绍了中美两国现行的智能坐便器标准,对比了两国标准条款电气安全检测要求的差异。通过对GB4706.53-2008《家用和类似用途电器的安全坐便器的特殊要求》[1]与UL 1431-2011[2]《个人卫生和保健设备安全标准》的详细解读,引导智能坐便器厂家全面好质量关,生产出运行稳定、安全可靠的智能坐便器产品,积极开拓北美市场,走出国门,走向世界。
汤岑[4]（2016）在《增强型高压AlGaN/GaN HEMTs器件的场优化技术及关键工艺研究》文中研究表明Ⅲ-Ⅴ族化合物材料氮化镓相比于硅材料具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强,是第三代半导体材料中的杰出代表。不同于传统硅基半导体器件,基于氮化镓材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,利用氮化镓异质结中的极化效应,在异质结界面获得具有高电子浓度、高电子迁移率以及高饱和电子漂移速度的横向电子沟道实现器件的导通。这些优异的电学特性决定了 AlGaN/GaNHEMTs器件在高频、高压以及高功率密度的功率半导体器件领域存在巨大的产业潜力。尽管AlGaN/GaNHEMTs在功率半导体领域具有广泛的产业前景,但现阶段应用在电力电子器件领域的AlGaN/GaNHEMTs仍存在着诸多技术性问题。由于平面型结构的AlGaN/GaNHEMTs需要通过横向的漂移区来承受器件的阻断耐压,因而如何通过电场优化,使器件在有限的漂移区长度内实现高耐压,是AlGaN/GaNHEMTs器件设计中的重要课题。为此,全球科研与产业界提出了一系列基于电场优化调制的结构与工艺优化设计。但迄今为止,国内外学者对于AlGaN/GaNHEMTs的耐压优化结构缺乏较为系统的数值模拟与理论分析,因而对于高压AlGaN/GaNHEMTs的产业化推广具有较低的实际指导价值。同时,AlGaN/GaN异质结结构存在天然导电二维电子气沟道,造成传统AlGaN/GaN HEMTs具有耗尽型（Depletion-Mode）的器件开关特性。因而如何实现与传统电力电子器件栅极驱动系统相兼容,且具有一定正阈值电压的增强型（Enhancement-Mode）AlGaN/GaN HEMTs器件,是AlGaN/GaN HEMTs被传统电力电子行业广泛接受的先决条件。尽管国内外学者提出了一系列实现增强型AlGaN/GaNHEMTs的结构和工艺方法,但现有的增强型AlGaN/GaNHEMTs实现方案均未能满足产业界对于稳定、低成本,且具有高阈值电压的增强型器件的需求。本文针对现有氮化镓功率器件在高压电场优化与增强型器件实现方法所存在的问题进行研究并展开设计优化与工艺研发,主要内容为:1)通过数值分析软件建立氮化镓AlGaN/GaN肖特基二极管（SBD,Schottky Barrier Diode）的二维仿真模型。引入优化的单层阳极场板与沟道下方的Mg掺杂（Magnesium Doped）电荷补偿层相结合,通过调整阳极场板的尺寸参数与Mg掺杂层的浓度与厚度参数,使器件在反向耐压时对二维电子气沟道以及体区内的可移动电子充分耗尽,并对器件的表面横向电场与体内纵向电场分布进行二维优化调制。实验中,采用高度T=0.5μm,长度L=3μm的阳极金属场板与厚度TP=0.28 μm,掺杂浓度为Np= 1×1017 cm3的Mg掺杂层的AlGaN/GaNSBD,在10.5μm的漂移区长度上获得1.8kV的反向耐压,相比于无电场优化传统器件的350V的反向耐压,提高了 4倍;相比仅采用优化阳极金属场板器件1.2kV的反向耐压,提高了 50%。2)提出了基于漏极金属界面优化与表面电场调制机理的新型肖特基/欧姆混合金属的漏极结构。通过将传统的欧姆接触漏极金属替换为肖特基/欧姆接触混合漏极金属,实现了器件阻断状态下漏极泄漏电流的有效抑制和器件耐压的显着提升。采用优化的肖特基/欧姆接触混合漏极金属的AlGaN/GaNHEMTs在9μm的漂移区上获得了 855 V的阻断耐压,相比于采用传统欧姆漏极金属的同尺寸HEMTs器件的450V阻断耐压,提高了 90%。进一步对优化后器件的泄漏电流抑制机理进行研究,并通过物理模型与二维TCAD仿真进行表征与验证。3)提出了在硅基氮化镓外延上通过高温热氧化的栅极凹槽刻蚀方法,获得具有较高阈值电压的增强型氮化镓MOS-HEMT器件。该方案利用氮化镓异质结结构的上下两层材料氧化反应的温度条件差异,在氧气环境中选择性地对AlGaN势垒层进行完全氧化,并使氧化反应自发停止于AlGaN/GaN的异质结界面位置。实验中,采用该方案的氮化镓MOS-HEMTs器件最终获得了+ 2.5V的阈值电压,+10V的栅极摆幅与200mA/mm的最大输出电流。同时,针对热氧化方法实现的硅基氮化镓MOS-HEMT器件工艺中存在的栅极凹槽刻蚀底部不均匀现象进行方案优化。将用于腐蚀AlGaN氧化生成物的KOH溶液替换为TMAH有机碱性溶液,利用其对AlGaN材料特有的侧向腐蚀机理,有效降低由于热氧化不均匀造成的栅极凹槽底部粗糙现象,从而获得具有高质量MOS界面的硅基氮化镓MOS-HEMT器件。采用该优化方案的硅基氮化镓MOS-HEMT,具有+2.5 V的阈值电压和低于0.2 V的转移特性偏移,相比于未优化方案器件的0.9 V偏移量,降低了 77%。同时由于优化后的MOS栅极凹槽具有更致密的氧化绝缘层覆盖,有效抑制了栅极泄漏电流,因而使器件在14 μm的漂移区获得了 930 V的击穿电压,相比未优化器件的580 V,提升了 60%。4)针对硅基氮化镓热氧化工艺中由于氧化反应各向异性较差而产生的栅极凹槽锯齿边缘现象,提出了基于KOH与H2O2混合溶液的栅极凹槽单步湿法刻蚀工艺。该方案中,通过混合溶液中同步进行的H2O2对AlGaN势垒层的氧化反应与KOH对氧化生成物的湿法腐蚀,自发实现了对AlGaN势垒层的不断刻蚀。通过对反应速率的精确控制,最终获得了具有良好刻蚀界面和刻蚀边缘的MOS栅极凹槽形貌。采用该方案制备的硅基氮化镓MOS-HEMT器件具有+3 V的阈值电压、极低的转移特性偏移量和栅极泄漏电流。实验获得的硅基氮化镓MOS-HEMT器件在28 μm的漂移区长度上实现了近250 mA/mm的最大输出电流与1.5 kV的阻断耐压。该方案具有工艺方法简单、稳定性高和工艺成本低等优势,为硅基氮化镓MOS-HEMT器件的商业化生产提供了一种全新的思路。
蔡辉[5]（2015）在《可编程逻辑控制器耐压测试系统的设计与实现》文中提出耐压测试是鉴定电气设备绝缘强度最有效和最直接的考核方法。通过这项试验,可以发现产品的绝缘介质缺陷,可以鉴定电气设备的介电强度,评价电气设备是否达到应具有的绝缘水平,避免电气设备事故的发生。因而,它被广泛应用于电器产品出厂试验中,作为保证产品质量不可缺少的一个重要手段。随着计算机软硬件技术的迅猛发展,测试系统开始向计算机的方向发展。虚拟仪器是现代计算机技术、仪器技术以及其它新技术完美结合的产物。该技术打破了传统仪器的框架,是对传统仪器概念的重大突破,形成的一种新的仪器模式,利用高性能的模块化硬件,结合高效灵活的软件来完成各种测试、测量和自动化的应用。论文课题运用了虚拟仪器及其相关技术设计并实现了企业项目——可编程逻辑控制器耐压测试系统,该系统具有测试、维护、参数设置和历史记录查询等功能。论文首先概述了课题背景及来源,接着介绍了相关技术基础,描述了系统总体设计的思路,然后分析了耐压测试系统硬件设计的流程,最后介绍了系统程序模块化设计的具体方法,并给出了设计的用户界面。实际运行情况充分地验证了论文课题所开发的可编程逻辑控制器耐压测试系统已经完全满足用户方技术要求中各方面的指标和性能要求,已通过了用户的正式验收,并投入使用,得到了用户满意的评价。
徐永路[6]（2015）在《线缆自动测试技术研究及应用》文中研究指明文章简要介绍了线缆自动测试技术的基本原理,线缆自动测试系统的基本组成和功能,同时对其在动车组制造过程中的应用进行了说明。
陈斌[7]（2014）在《发光按钮LED模块的耐压与功能测试集成自动测试装置在生产线的实现》文中进行了进一步梳理通过对工业发光按钮所使用的LED模块的结构、功能与特性的研究。对LED模块生产线检测工位上的耐压与功能集成式自动测试装置的测试标准,测试方法,测试仪器,测试夹具进行了详细介绍。以证明此集成式自动测试机能适应高速自动化生产检测的要求,更高效地检测发光按钮LED模块的绝缘性能及其基本功能。
党威[8]（2012）在《永磁式真空断路器智能保护及抗干扰技术研究》文中指出由于工业用电环境比较恶劣，研究智能化、抗干扰能力强的永磁式真空断路器的保护器对于保障工业用电安全具有非常重要的意义。本文研究了双线圈双稳态永磁机构真空断路器智能保护的原理及抗干扰技术，提出了基于鉴幅结合相敏检测方法判断短路的原理,阐述了电流分段检测方法。该系统以单片机C8051F021为核心，采用开关电源供电，能够控制断路器合闸与分闸。该系统还具有电压检测、电流检测、电压保护、短路保护、绝缘检测保护和相不平衡保护功能。在软件设计上实现了驱动输出能量的连续可控可调，提高了系统的智能化水平和兼容性。该系统在硬件上使用隔离、接地、滤波和屏蔽四种抗干扰技术。软件中加入数字滤波和空指令等技术方法来提高系统抗干扰能力。该系统经过5KV脉冲干扰群试验，并能够在干扰下正常运行。
许江涛,陈勇[9]（2011）在《LED照明产品UL认证的流程与安全评估要求》文中提出UL是北美市场最大的第三方认证机构,UL关于LED照明安全性能的标准为UL8750。目前,可申请UL认证的LED照明产品有以下一
郭慧明[10]（2011）在《框架式断路器耐压可靠性自动测试系统》文中认为断路器作为低压电器中的主要元器件,广泛的应用于各种配电网络中,其工作的安全可靠性能对低压配电网络有直接的影响,在国民经济发展和人民生活中起着非常重要的作用。断路器的绝缘耐压性能是其可靠性重要指标之一,耐压试验是检验耐压性能的必要的技术手段。而目前,大多数耐压试验采用人工手动测试,不仅工作效率低、危险性大,而且测试结果判定主观性大,急需现代化的自动测试系统,规范其测试流程,提高测试效率。本文针对框架式断路器产品耐压可靠性出厂检验的需要,基于工业控制计算机和PLC,开发了一套自动测试系统。该系统能一次性完成对断路器各测试点的测试,自动对断路器测试点进行切换,并对各测试点间自动施加高压测试电压,以检验其绝缘耐压性能,自动判别测试结果是否满足技术指标要求。与现有的测试方法和测试系统相比,具有试验过程规范、自动化程度高、工作效率高、通用性强等特点。该系统已在断路器装配流水线上试运行,效果良好。本系统上位机采用组态软件,具有用户管理、产品管理、试验过程的实时监控、试验结果的存储、打印测试报告等功能,加强了对产品生产过程和检验过程的管理。另外,软PLC在工控领域有着广泛的发展前景,最后在展望中对其进行了初步的介绍。
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
| 0 引言 |
| 1 电气间隙 |
| 1.1 瞬态过电压 |
| 1.2 暂态过电压 |
| 1.3 电气间隙的确定 |
| 2 爬电距离 |
| 3 电网电源和外部电路的绝缘距离应用和差异分析 |
| 3.1 AC电源设备 |
| 3.2 DC电源设备 |
| 3.3 外部电 |
| 4 结语 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 |
| 1.2 国内外在该方向的研究现状 |
| 1.2.1 国外在该方向的研究现状及分析 |
| 1.2.2 国内在该方向的研究现状及分析 |
| 1.3 本课题的研究目标 |
| 1.4 本课题的主要研究内容及架构 |
| 第2章 控制系统总体方案设计 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 控制系统设计简介 |
| 2.3 智能硬件控制器设计 |
| 2.4 云系统控制设计 |
| 2.4.1 C-Life云平台简介 |
| 2.4.2 C-Life云平台框架 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 控制器硬件设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 电路设计流程 |
| 3.3 原理图设计 |
| 3.3.1 电源设计 |
| 3.3.2 漏电检测模块设计 |
| 3.3.3 电量检测模块设计 |
| 3.3.4 PIR模块设计 |
| 3.3.5 MCU模块设计 |
| 3.4 PCB设计 |
| 3.4.1 PCB的分层设计 |
| 3.4.2 PCB的器件布局设计 |
| 3.4.3 PCB的布线设计 |
| 3.4.4 PCB设计结果 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 控制系统软件设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 控制板程序设计 |
| 4.2.1 硬件初始化 |
| 4.2.2 驱动模块设计 |
| 4.2.3 WIFI通信模块设计 |
| 4.2.4 OS实时操作系统 |
| 4.3 数据通讯协议配置 |
| 4.4 移动客户端APP配置 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 空气净化器控制系统测试 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 控制器安规测试 |
| 5.3 控制器功能测试 |
| 5.4 通信及APP功能测试 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
| 1 引言 |
| 2 中美智能坐便器电气安全标准概况 |
| 2.1 国家电气安全标准 |
| 2.2 美国及北美电气安全标准 |
| 2.3 中美智能坐便器电气安全标准比对 |
| 3 总结 |
| 致谢 |
| 序言 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 项目的意义 |
| 1.2 项目的阶段发展思路 |
| 1.3 项目的先进性,难点和评判标准 |
| 1.4 项目预期与日程 |
| 第二章 氮化镓半导体概论 |
| 2.1 氮化镓材料概论 |
| 2.2 铝氮化镓/氮化镓异质结结构与二维电子气 |
| 2.3 氮化镓基器件国内外研究与行业现状 |
| 2.4 氮化镓基半导体器件当前技术难点 |
| 2.5 氮化镓基半导体器件的发展方向 |
| 第三章 高压氮化镓器件的二维电场优化 |
| 3.1 高压氮化镓器件的电场优化背景 |
| 3.2 Silvaco-Atlas仿真软件介绍 |
| 3.3 氮化镓异质结半导体器件的仿真设计 |
| 3.4 氮化镓器件的仿真计算 |
| 3.5 氮化镓器件的一维电场调制 |
| 3.6 氮化镓器件的二维电场调制 |
| 3.7 二维电场调制技术的优化 |
| 3.8 二维电场调制技术的技术验证 |
| 3.9 小结 |
| 第四章 高压氮化镓功率器件的结构与工艺 |
| 4.1 高压氮化镓器件的工艺优化背景 |
| 4.2 混合金属漏极氮化镓HEMT器件 |
| 4.3 混合金属漏极氮化镓HEMT器件的耐压测试准备 |
| 4.4 混合金属漏极氮化镓HEMT器件的耐压测试结果 |
| 4.5 混合金属漏极氮化镓HEMT器件的泄漏电流抑制机理分析 |
| 4.6 混合金属漏极氮化镓HEMT器件的输出特性优化效果 |
| 4.7 小结 |
| 第五章 基于热氧化工艺的硅基氮化镓增强型器件 |
| 5.1 增强型氮化镓器件的研究意义 |
| 5.2 增强型氮化镓器件的研究背景 |
| 5.3 热氧化工艺的研究现状 |
| 5.4 硅基氮化镓热氧化MOS-HEMT的工艺流程 |
| 5.5 硅基氮化镓热氧化栅极凹槽刻蚀 |
| 5.6 热氧化栅极凹槽工艺的核心技术 |
| 5.7 热氧化栅极凹槽刻蚀的效果验证 |
| 5.8 热氧化增强型氮化镓MOS-HEMT的测试与评估 |
| 5.9 热氧化增强型氮化镓MOS-HEMT的工艺优化 |
| 5.10 本章小结与展望 |
| 第六章 基于单步湿法腐蚀工艺的硅基氮化镓增强型器件 |
| 6.1 湿法腐蚀工艺的研究意义 |
| 6.2 湿法腐蚀工艺的研究背景 |
| 6.3 采用单步湿法腐蚀工艺的MOS-HEMT的工艺流程 |
| 6.4 单步湿法腐蚀工艺的核心工艺研究 |
| 6.5 单步湿法腐蚀工艺的验证 |
| 6.6 采用单步湿法腐蚀工艺的MOS-HEMT器件特性 |
| 6.7 小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 论文工作总结 |
| 7.2 今后工作展望 |
| 攻读博士学位期间论文与专利成果 |
| 参考文献 |
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景、目的和意义 |
| 1.1.1 课题背景 |
| 1.1.2 课题来源与目标 |
| 1.1.3 课题目的和意义 |
| 1.2 可编程逻辑控制器概述 |
| 1.2.1 基本概念 |
| 1.2.2 输入输出接口 |
| 1.3 测控技术的发展现状 |
| 1.4 虚拟仪器技术发展现状 |
| 1.5 论文结构 |
| 第二章 系统总体设计 |
| 2.1 耐压测试及其标准 |
| 2.2 系统的设计要求 |
| 2.3 系统开发工具——LABWINDOWS/CVI |
| 2.4 系统总体设计 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 系统的硬件设计 |
| 3.1 设备硬件结构 |
| 3.2 主要电气元件 |
| 3.2.1 IPC |
| 3.2.2 开关量采集板卡 |
| 3.2.3 耐压测试仪 |
| 3.2.4 7006矩阵式扫描仪 |
| 3.2.5 传感器 |
| 3.2.6 气缸 |
| 3.3 电气回路设计 |
| 3.3.1 主回路 |
| 3.3.2 安全保护回路 |
| 3.3.3 测量回路 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 系统的软件设计 |
| 4.1 软件结构图 |
| 4.2 测试模式 |
| 4.3 维护模式 |
| 4.3.1 设备DIO的手动控制功能 |
| 4.3.2 条码枪的诊断功能 |
| 4.3.3 耐压测试仪的诊断功能 |
| 4.4 参数设置 |
| 4.4.1 测试参数 |
| 4.4.2 样品条码管理 |
| 4.4.3 产品信息 |
| 4.4.4 用户管理 |
| 4.5 历史记录查询 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 论文工作的总结 |
| 5.2 进一步工作的展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间公开发表论文 |
| 致谢 |
| 1 概述 |
| 2 测试系统功能 |
| 3 测试系统组成 |
| 3.1 测试系统主机 |
| 3.1.1 导通测试。 |
| 3.1.2 电阻测试。 |
| 3.1.3 绝缘测试。 |
| 3.1.4 耐压测试。 |
| 3.2 控制系统软件 |
| 3.3 安全设计 |
| 4 测试系统应用 |
| 5 结束语 |
| 前言 |
| 1、测试对象介绍:LED模块的结构和规格参数 |
| 2、测试原理、方法及测试要求 |
| 2.1 功能测试 |
| 2.2 耐压测试 |
| 3、耐压与功能测试集成自动测试装置的应用与实现 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究课题的提出 |
| 1.2 永磁断路器保护技术的现状及发展趋势 |
| 1.2.1 永磁断路器的发展 |
| 1.2.2 断路器保护技术现状及发展 |
| 1.3 本文研究的内容及主要研究工作 |
| 第二章 永磁机构断路器的保护原理 |
| 2.1 永磁机构的结构和工作原理 |
| 2.1.1 双稳态永磁机构的结构 |
| 2.1.2 双稳态永磁机构的工作原理 |
| 2.1.3 双稳态永磁机构的磁路分析 |
| 2.1.4 永磁机构的优势及应用 |
| 2.2 智能保护的保护原理 |
| 2.2.1 电压保护 |
| 2.2.2 短路保护 |
| 2.2.3 相不平衡保护 |
| 2.2.4 绝缘检测保护 |
| 2.2.5 漏电保护 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 智能保护器的系统设计 |
| 3.1 智能保护器的硬件设计 |
| 3.1.1 电源模块设计 |
| 3.1.2 电压信号获取电路设计 |
| 3.1.3 电流信号获取电路设计 |
| 3.1.4 信号调理电路设计 |
| 3.1.5 断电分闸设计 |
| 3.1.6 储能检测电路设计 |
| 3.1.7 输出驱动电路设计 |
| 3.1.8 按键硬件设计 |
| 3.1.9 LCD 接口硬件电路设计 |
| 3.1.10 通信接口电路 |
| 3.1.11 数字芯片选型 |
| 3.2 电流保护电路设计 |
| 3.2.1 短路保护 |
| 3.2.2 绝缘检测保护电路设计 |
| 3.3 智能保护器的软件设计 |
| 3.3.1 软件开发环境简介 |
| 3.3.2 系统软件设计 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 保护器抗干扰设计 |
| 4.1 干扰的概念和来源 |
| 4.1.1 干扰的概念 |
| 4.1.2 保护器的主要干扰源及危害 |
| 4.2 抗干扰的措施 |
| 4.2.1 硬件抗干扰的方法 |
| 4.2.2 软件抗干扰设计 |
| 4.3 电磁兼容性原则 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 试验与测试 |
| 5.1 硬件模块测试数据 |
| 5.1.1 电源模块测试数据及分析 |
| 5.1.2 信号调理模块测试数据及分析 |
| 5.2 干扰测试试验 |
| 5.3 耐压和老化试验 |
| 5.3.1 耐压测试 |
| 5.3.2 老化测试 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 论文工作的总结 |
| 6.2 进一步的研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究成果 |
| 一、UL认证的基本流程 |
| 二、UL对LED照明产品的安全要求 |
| 1. 安全要求 |
| 2. 评估标准 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| §1-1 引言 |
| §1-2 断路器的可靠性 |
| 1-2-1 可靠性技术 |
| 1-2-2 断路器可靠性技术 |
| §1-3 国内外可靠性试验设备和技术发展状况 |
| 1-3-1 国外测试设备和技术发展 |
| 1-3-2 国内测试设备和技术发展 |
| §1-4 本文的主要工作 |
| 第二章 断路器耐压可靠性测试系统的设计方案 |
| §2-1 耐压可靠性测试及其标准 |
| §2-2 设计要求 |
| §2-3 系统设计方案 |
| 第三章 系统硬件设计 |
| §3-1 系统硬件框图 |
| §3-2 PLC |
| 3-2-1 PLC 概述 |
| 3-2-2 PLC 控制系统的总体设计 |
| §3-3 高压测试电源 |
| §3-4 主回路、二次回路夹具及高压切换电路 |
| §3-5 控制系统 |
| §3-6 试验装置的防电磁干扰设计 |
| 第四章 监控系统软件设计 |
| §4-1 下位机软件 |
| 4-1-1 PLC 程序设计 |
| 4-1-2 下位机软件工作流程 |
| §4-2 上位机软件设计 |
| 4-2-1 组态软件概述 |
| 4-2-2 力控6.0 |
| 4-2-3 上位机软件工作流程 |
| §4-3 工程建立 |
| §4-4 设备组态和数据库建立 |
| 4-4-1 设备组态 |
| 4-4-2 数据库建立 |
| §4-5 图形界面开发 |
| §4-6 监控系统的I/O 驱动 |
| 4-6-1 监控组态软件的设备驱动程序 |
| 4-6-2 设备驱动程序的主要功能 |
| §4-7 动态画面制作 |
| §4-8 动作脚本编程 |
| 第五章 结论与展望 |
| §5-1 总结 |
| §5-2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 |
| 附录 A |
